芯茂微一級代理--粵華信科技供應：LP20R100FN  TO220F   內置MOS同步整流控制器芯片
LP20R100FN 為高性能的開關電源 100V 同步整流系列產品，兼容多種開關電源控制系統。
LP20R100FN支持 DCM、QR 以及 CCM 工作模式。
LP20R100FN 采用專利的整流管開通判定技術，可以有效的避免因激磁振蕩引起的驅動芯片誤開通。LP20R100FN 具有極快的關斷速度，可以大幅度降低在 CCM 工作條件下因關斷延遲造成的效率損失。
LP20R100FN集成 VCC 供電技術。啟動當系統上電后，通過內置 MOS 的體二極管對輸出電容充電，輸出電壓上升。LP20R100FN 通過 D腳連接輸出電壓，當輸出電壓上升時，經過芯片內部供電電路，給 VCC 充電，當 VCC 的電壓充到開啟閾值電壓時，芯片內部控制電路開始工作，MOS 正常的導通和關斷。MOS 正常的導通時，電流不再從體二極管流過，而從 MOS 的溝道流過。芯片正常工作時，所需的工作電流仍然會通過 D腳，給 VCC 供電。同步整流管導通DCM 工作時，由于電感的激磁作用，當初級芯片關斷時，會產生振蕩。為了防止誤檢測振蕩信號，導致同步整流管的異常開啟，LP20R100FN 采用專利的整流管開通技術。當初級芯片關斷時，次級 LP20R100FN 的漏極 D與 GND 之間的電壓迅速下降PXX 通過檢測D和GND之間的下降電壓閾值和下降速率，能準確的判斷同步整流管的開啟。開通條件：當滿足 TOFF>TOFFMIN & dVDS/dt> K &dt>30ns&VDS同步最小導通時間（TONMIN）當同步開啟后，為了避免誤關斷同步整流。LP20R100FN 設置了最小導通時間TONMIN。同步導通階段同步導通時，退磁電流減小，VDS 電壓上升；當VDS 電壓高于-60mV 時，會減小驅動電壓，使得MOS 管的導通阻抗增大，維持VDS 的導通電壓-60mV；有利于同步關斷時，由于驅動電壓低，加快關斷速度。但為了兼顧效率，VGS 最小電壓限定3V。同步整流管關斷為了避免同步整流管導通時，因激磁振蕩幅度較大，導致誤檢測關斷信號，使同步整流管異常的關斷；LP20R100FN 通過整流管關斷電壓閾值，能準確地判斷同步整流管的關斷。關斷條件：同步整流一旦開通，在比較器屏蔽時間 TONMIN內不進行關斷動作。當開通時間 Ton 超過 TONMIN時間后，即 Ton>TONMIN& Vds >VOFF，關斷同步。同步最小關斷時間（TOFFMIN）當同步超過關斷閾值（-5mV）關斷后，為了避免誤開啟同步整流。LP20R100FN 設置了最小關斷時間 TOFFMIN。死區時間（TDEAD）LP20R100FN 有固定的死區時間，典型值600ns。保護功能LP20R100FN 集成了VCC 欠壓保護，過壓鉗位等保護功能。PCB 設計在設計 LP20R100FN PCB 時，需要遵循以下指南：主功率回路走線要短粗。
LP20R100FN 采用 TO220F-3L 封裝。
特點
? 開關電源同步整流應用
? 兼容 DCM、QR 以及CCM工作模式
? 支持最高工作頻率200kHz? 內置 100V 耐壓功率管
? 專利的整流管開通技術? 集成 VCC 供電
? 芯片供電欠壓保護
? 芯片過壓鉗位
? 外圍元器件少
應用
? 充電器和適配器
? 反激控制器
? 其他開關電源控制系