選型前，先了解下什么是同步整流？
同步整流器采用與主開關(guān)管同步工作的MOSFET或IGBT作為整流元件，以替代傳統(tǒng)的二極管。當(dāng)主開關(guān)管關(guān)閉時，同步整流器的MOSFET或IGBT也關(guān)閉，從而避免了二極管的正向壓降和反向恢復(fù)時間帶來的損耗和干擾。同步整流器的工作原理如下：當(dāng)主開關(guān)管打開時，電流通過主開關(guān)管和負(fù)載電路流動；當(dāng)主開關(guān)管關(guān)閉時，同步整流器的MOSFET或IGBT也關(guān)閉，此時負(fù)載電流通過同步整流器的體二極管續(xù)流。由于同步整流器的體二極管的正向壓降較小，因此可以降低系統(tǒng)的功耗和溫升。
同步整流的工作原理：
當(dāng)原邊PWM驅(qū)動為高電平時，副邊同步整流MOS的Vds電壓升高，這時候驅(qū)動SR必須關(guān)閉，否則會發(fā)生原副邊直通，導(dǎo)致SR或PWM的MOS管損壞。

當(dāng)原邊PWM驅(qū)動從高電平轉(zhuǎn)換為低電平時，副邊同步整流MOS的體二極管先導(dǎo)通，電流從S流向D，壓降約1V；這時候應(yīng)該使同步MOS驅(qū)動SR盡快開通，讓電流流過同步MOS的溝道，以降低損耗。

同步整流管導(dǎo)通時，變壓器的能量向副邊釋放，變壓器的能量逐漸耗盡，流過同步整流管的電流也逐漸下降；下一次原邊PWM的開通時刻也很快就要到來了。

根據(jù)下一次原邊PWM開通時刻，副邊電流是否下降為0，可以把工作模式分為兩種類別：

第一類：DCM 或 QR，這種工作模式下，同步整流每次都是零電流關(guān)斷，原邊PWM管是零電流開通。

第二類：CCM，這種工作模式下，同步整流是帶電流關(guān)斷；原邊PWM管也是帶電流開通。

第一類控制很簡單，只需要檢測溝道壓降，當(dāng)壓降小到接近0mV時關(guān)閉同步整流管，并且用一些簡單的邏輯防止DCM Ring的時候誤開通就行了。

第二類就沒那么容易了；(原邊主開關(guān)管CCM開通)

因為不同負(fù)載下同步整流溝道壓降不一樣，無法再通過溝道壓降接近0mV來判斷同步整流的關(guān)閉時刻。如果還使用DCM下的關(guān)斷策略，就會導(dǎo)致原邊開通時，同步整流還沒有關(guān)閉。這樣原副邊會有一小段時間處于直通狀態(tài)，原邊的電流前沿尖刺很高，副邊同步整流管也有較大的方向電流尖刺；這時候有很大的瞬時功耗，很容易損壞同步管子或原邊的管子。好處就是副邊同步整流電流全部從溝道流動，幾乎沒有體二極管的反向恢復(fù)。

同步整流控制器 LP10R100FN 介紹：
LP10R100FN 為高性能的開關(guān)電源 100V 同步整流系列產(chǎn)品，兼容多種開關(guān)電源控制系統(tǒng)。LP10R100FN支持 DCM、QR 以及 CCM 工作模式。LP10R100FN 采用專利的整流管開通判定技術(shù)，可以有效的避免因激磁振蕩引起的驅(qū)動芯片誤開通。LP10R100FN 具有極快的關(guān)斷速度，可以大幅度降低在 CCM 工作條件下因關(guān)斷延遲造成的效率損失。
LP10R100FN集成 VCC 供電技術(shù)。啟動當(dāng)系統(tǒng)上電后，通過內(nèi)置 MOS 的體二極管對輸出電容充電，輸出電壓上升。LP10R100FN 通過 D腳連接輸出電壓，當(dāng)輸出電壓上升時，經(jīng)過芯片內(nèi)部供電電路，給 VCC 充電，當(dāng) VCC 的電壓充到開啟閾值電壓時，芯片內(nèi)部控制電路開始工作，MOS 正常的導(dǎo)通和關(guān)斷。MOS 正常的導(dǎo)通時，電流不再從體二極管流過，而從 MOS 的溝道流過。芯片正常工作時，所需的工作電流仍然會通過 D腳，給 VCC 供電。同步整流管導(dǎo)通DCM 工作時，由于電感的激磁作用，當(dāng)初級芯片關(guān)斷時，會產(chǎn)生振蕩。為了防止誤檢測振蕩信號，導(dǎo)致同步整流管的異常開啟，LP10R100FN 采用專利的整流管開通技術(shù)。當(dāng)初級芯片關(guān)斷時，次級 LP10R100FN 的漏極 D與 GND 之間的電壓迅速下降PXX 通過檢測D和GND之間的下降電壓閾值和下降速率，能準(zhǔn)確的判斷同步整流管的開啟。開通條件：當(dāng)滿足 TOFF>TOFFMIN & dVDS/dt> K &dt>30ns&VDS同步最小導(dǎo)通時間（TONMIN）當(dāng)同步開啟后，為了避免誤關(guān)斷同步整流。LP10R100FN 設(shè)置了最小導(dǎo)通時間TONMIN。同步導(dǎo)通階段同步導(dǎo)通時，退磁電流減小，VDS 電壓上升；當(dāng)VDS 電壓高于-60mV 時，會減小驅(qū)動電壓，使得MOS 管的導(dǎo)通阻抗增大，維持VDS 的導(dǎo)通電壓-60mV；有利于同步關(guān)斷時，由于驅(qū)動電壓低，加快關(guān)斷速度。但為了兼顧效率，VGS 最小電壓限定3V。同步整流管關(guān)斷為了避免同步整流管導(dǎo)通時，因激磁振蕩幅度較大，導(dǎo)致誤檢測關(guān)斷信號，使同步整流管異常的關(guān)斷；LP10R100FN 通過整流管關(guān)斷電壓閾值，能準(zhǔn)確地判斷同步整流管的關(guān)斷。關(guān)斷條件：同步整流一旦開通，在比較器屏蔽時間 TONMIN內(nèi)不進行關(guān)斷動作。當(dāng)開通時間 Ton 超過 TONMIN時間后，即 Ton>TONMIN& Vds >VOFF，關(guān)斷同步。同步最小關(guān)斷時間（TOFFMIN）當(dāng)同步超過關(guān)斷閾值（-5mV）關(guān)斷后，為了避免誤開啟同步整流。LP10R100FN 設(shè)置了最小關(guān)斷時間 TOFFMIN。死區(qū)時間（TDEAD）LP10R100FN 有固定的死區(qū)時間，典型值600ns。保護功能LP10R100FN 集成了VCC 欠壓保護，過壓鉗位等保護功能。PCB 設(shè)計在設(shè)計 LP10R100FN PCB 時，需要遵循以下指南：主功率回路走線要短粗。
LP10R100FN 采用 TO220F-3L 封裝。

選用芯茂微的 LP10R100FN 的理由主要因其具有高效率、散熱好、保護功能完善、應(yīng)用范圍廣等優(yōu)勢，具體如下：

高效率節(jié)能：LP10R100FN 在大多數(shù)工況下可實現(xiàn)超過 90% 的能效，能幫助設(shè)備降低能耗，減少運行成本，對于對能效有要求的設(shè)備而言是不錯的選擇。

散熱性能優(yōu)良：采用 TO220F-3L 封裝設(shè)計，增加了芯片的散熱面積，有利于將芯片工作溫度維持在合理范圍，進而提高芯片工作的可靠性，延長使用壽命。

保護功能完善：芯片內(nèi)置過流、過壓及短路保護功能，可有效保障電源系統(tǒng)的安全穩(wěn)定運行，降低因電路異常導(dǎo)致的設(shè)備損壞風(fēng)險。

應(yīng)用范圍廣泛：該芯片適用于 LED 驅(qū)動、電動車充電器、工業(yè)電源等多種場合，還可用于智能手機、平板電腦等設(shè)備的充電器，靈活性高，能滿足不同領(lǐng)域的需求。

現(xiàn)貨供應(yīng)有保障：有代理商-粵華信科技-提供現(xiàn)貨，能夠滿足客戶即時的采購需求，確保生產(chǎn)計劃順利進行，減少因缺貨導(dǎo)致的生產(chǎn)延誤。