力鈦科LETAK功率器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng),集多種測量功能一體,可以精準測量不同封裝類型功率器件(如MOSFET、BJT、IGBT,以及SiC、GaN第三代半導體等)的靜態(tài)參數(shù),具有高電壓和大電流特性、μΩ級導通電阻精確測量、nA級漏電流測量能力等特點。支持高壓模式下功率器件結電容測試,如輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容等。
硬件優(yōu)勢>>>
力鈦科LETAK功率器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng),配置有多種測量單元模塊,模塊化的設計測試方法靈活,能夠極大方便用戶添加或升級測量模塊,適應測量功率器件不斷變化的需求。
■ 高電壓達8000V(最大擴展至10kV)
■ 大電流達6000A(多模塊并聯(lián))
■ nA級漏電流μΩ級導通電阻
■ 高精度測量0.1%
■ 模塊化配置可添加或升級測量單元
■ 測試效率高、自動切換、一鍵測試
■ 兼容多種封裝根據(jù)測試需求定制夾具
軟件特點>>>
■ 測試主機內部采用的電壓、電流測量單元,均采用多量程設計,測試精度為0.1%
■ 最高支持8000V電壓輸出,且自帶漏電流測量功能
■ 柵極-發(fā)射極,最大支持30V/10A脈沖電流輸出與測試,可測試低至pA級漏電流
■ 電容特性測試包括輸入電容、輸出電容、以及反向傳輸電容測試,頻率最高支持1MHz
■ 集電極-發(fā)射極,最大支持6000A高速脈沖電流,典型上升時間為15us,且具備電壓高速同步采樣功能
測試夾具>>>
針對市面上不同封裝類型的硅基功率半導體,IGBT、SiC、MOS、GaN等產品,力鈦科提供整套測試夾具解決方案,可用于TO單管,半橋模組等產品的測試,后期可根據(jù)客戶需求來定制化相對應封裝。
系統(tǒng)參數(shù)>>>
項目 | 參數(shù) | 范圍 | 精準度 | |
集電極-發(fā)射極 | 電壓 | 300V -- 8000V | ±0.1% | |
電流 | 5A -- 6000A | ±0.1% | ||
電壓上升沿 | 5ms | N/A | ||
電流上升沿 | 15μs | N/A | ||
最小電壓脈寬 | 1ms | ±100uS | ||
電流脈寬 | 50μs~500μs | ±5μs | ||
漏電流測試范圍 | 1nA~100mA |
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柵極-發(fā)射極 | 電壓 | 0--300V | ±0.1% | |
電流 | 0--30 | ±0.1% | ||
最小電壓分辨率 | 30μV | N/A | ||
最小電流分辨率 | 1pA | N/A | ||
電容測試 | 頻率范圍 | 10Hz~1MHz | ±0.01% | |
電容值范圍 | 0.01pF~9.9999F | ±0.05% |
