--- 產品參數 ---
- 封裝 TO252
- 溝道 Single-N
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### 產品簡介
BUK6218-40C-VB 是一款高性能單 N 溝道 MOSFET,封裝形式為 TO252。采用先進的溝槽技術,這款 MOSFET 設計用于高效的開關應用,具備低導通電阻和高電流能力,非常適合在需要高功率和高效率的電路中使用。其可靠性和優異的性能使其在多個領域得到廣泛應用。
### 詳細參數說明
- **型號**: BUK6218-40C-VB
- **封裝**: TO252
- **配置**: 單 N 溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 40V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **柵閾值電壓 (Vth)**: 2.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- 14mΩ @ VGS = 4.5V
- 12mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流 (ID)**: 55A
- **技術**: Trench

### 應用領域和模塊示例
1. **高效開關電源**:由于其低導通電阻和良好的電流承載能力,BUK6218-40C-VB 適合用于開關電源 (SMPS) 和 DC-DC 轉換器,能夠提高轉換效率并減少功耗。
2. **電機驅動系統**:這款 MOSFET 能夠處理高電流,非常適合用于電機驅動模塊,如工業自動化和電動工具,實現高效穩定的電流控制。
3. **電池管理系統**:在電池管理系統中,BUK6218-40C-VB 的低導通電阻有助于優化電池充放電過程,提升電池的整體效率和可靠性,特別適用于電動汽車和儲能系統。
4. **光伏逆變器**:該 MOSFET 的高電流處理能力和低導通電阻使其成為光伏逆變器中的理想選擇,能夠有效提升光伏系統的能效和穩定性。
5. **高頻開關應用**:由于其優秀的開關性能,BUK6218-40C-VB 適合用于高開關頻率的應用,如通信設備和便攜式電子產品,幫助減少功耗并提升設備性能。
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