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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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BUK583-60A-VB一款Single-N溝道SOT223的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明

型號: BUK583-60A-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • 封裝 SOT223
  • 溝道 Single-N

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

### 一、BUK583-60A-VB 產品簡介

BUK583-60A-VB 是 NXP Semiconductors 提供的一款高性能單 N 溝道 MOSFET,封裝形式為 SOT223。這款 MOSFET 采用先進的 Trench 技術,具有 60V 的漏源電壓 (VDS) 和 ±20V 的柵源電壓 (VGS) 規格。其在 4.5V 的柵源電壓下,導通電阻為 33mΩ,在 10V 的柵源電壓下,導通電阻進一步降低至 28mΩ。BUK583-60A-VB 支持最大 7A 的連續漏極電流 (ID),適用于高效開關和電源管理的各種應用場景,特別適合對封裝尺寸和性能有較高要求的設計。

### 二、BUK583-60A-VB 詳細參數說明

| 參數                   | 值                       | 單位   |
|------------------------|--------------------------|--------|
| 產品型號               | BUK583-60A-VB            |        |
| 封裝                   | SOT223                   |        |
| 配置                   | 單 N 溝道                |        |
| 漏源電壓 (VDS)         | 60                       | V      |
| 柵源電壓 (VGS)         | ±20                      | V      |
| 閾值電壓 (Vth)         | 1.7                      | V      |
| 導通電阻 (RDS(ON))     | 33 (VGS = 4.5V)          | mΩ     |
|                        | 28 (VGS = 10V)           | mΩ     |
| 柵極電流 (IG)          | 100                      | nA     |
| 連續漏極電流 (ID)      | 7                        | A      |
| 瞬時脈沖漏極電流 (ID(pulse)) | 21               | A      |
| 最大功耗 (Ptot)        | 25                       | W      |
| 工作溫度范圍           | -55 至 +175             | °C     |
| 存儲溫度范圍           | -55 至 +175             | °C     |
| 技術                   | Trench                   |        |

### 三、應用領域和模塊示例

BUK583-60A-VB 的高性能和緊湊封裝使其在多個領域表現出色,以下是幾個應用示例:

1. **電源管理**:在開關電源 (SMPS) 和 DC-DC 轉換器中,BUK583-60A-VB 能夠作為高效開關元件,提供低導通電阻和優良的電源轉換效率。

2. **小型電機控制**:由于其較小的封裝和良好的性能,這款 MOSFET 特別適合用于微型電動機驅動電路,如玩具、家用電器和小型機器人中的電機控制。

3. **電池保護**:在便攜設備和移動電子產品的電池保護電路中,BUK583-60A-VB 能夠有效保護電池免受過流影響,確保設備的安全性和穩定性。

4. **LED 驅動**:在 LED 驅動器和調光器中,這款 MOSFET 的低導通電阻和小封裝尺寸使其能夠提供高效且可靠的開關功能,提升整體照明系統的性能。

這些應用示例展示了 BUK583-60A-VB 在緊湊設計和高效開關應用中的重要作用。

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