### 一、BSZ160N10NS3 G-VB產品簡介

BSZ160N10NS3 G-VB是一款高性能的單N溝道MOSFET，采用先進的溝槽技術，封裝為DFN8(3x3)。該器件具有極低的導通電阻和高漏極電流能力，適用于需要高效率和高開關速度的應用。最大漏源電壓為100V，柵源電壓為±20V，導通電阻為10mΩ（在VGS=10V時）。其最大連續漏極電流為50A，使其非常適合用于高功率應用，如電源管理和電機驅動。

### 二、BSZ160N10NS3 G-VB詳細參數說明

| 參數               | 值                                        |
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| 封裝類型           | DFN8(3x3)                                  |
| 配置               | 單N溝道                                    |
| 最大漏源電壓 (VDS) | 100V                                       |
| 最大柵源電壓 (VGS) | ±20V                                       |
| 閾值電壓 (Vth)     | 2.5V                                       |
| 導通電阻 (RDS(ON)) | 10mΩ @ VGS=10V                             |
| 最大漏極電流 (ID)  | 50A                                        |
| 技術               | 溝槽技術                                   |

### 三、應用領域和模塊舉例

1. **高功率直流-直流轉換器（High-Power DC-DC Converter）**：BSZ160N10NS3 G-VB由于其高電流能力和低導通電阻，特別適合用于高功率的直流-直流轉換器。其在服務器電源、工業電源和大功率電池供電設備中能夠提供高效的電力轉換，減少能量損耗。

2. **電源管理模塊（Power Management Module）**：在復雜的電源管理系統中，這款MOSFET的高電流處理能力和低導通電阻使其成為理想選擇。它可以應用于高效的電壓穩壓器、電源開關和負載開關中，提高電源管理的效率和可靠性，適用于電動汽車和高性能計算設備等領域。

3. **電機驅動（Motor Drive）**：BSZ160N10NS3 G-VB的高電流處理能力使其非常適合用于電機驅動應用，如電動工具、電動自行車和工業電機驅動系統。其低導通電阻和高開關速度有助于提高電機驅動的整體效率和響應速度。

4. **功率開關（Power Switch）**：該MOSFET在功率開關應用中表現出色，能夠處理較高的電壓和電流，適用于電力開關、繼電器替代和高功率負載開關的場合，如家用電器、工業設備和電力控制系統。