### BSZ097N04LS G-VB 產品簡介

**產品簡介：**
BSZ097N04LS G-VB 是一款高效能的單N溝道MOSFET，采用DFN8 (3x3) 封裝技術。其最大漏極電壓（VDS）為40V，柵極電壓（VGS）最大為±20V，閾值電壓（Vth）為2.5V。具有極低的導通電阻（RDS(ON)），在柵極電壓為4.5V時為6mΩ，在柵極電壓為10V時為4.5mΩ。該MOSFET的最大連續漏極電流（ID）為40A，采用先進的溝槽技術（Trench）制造。

### BSZ097N04LS G-VB 詳細參數說明

| 參數            | 值                          |
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| **封裝類型**   | DFN8 (3x3)                 |
| **配置**       | 單N溝道                    |
| **最大漏極電壓（VDS）** | 40V                        |
| **最大柵極電壓（VGS）** | ±20V                       |
| **閾值電壓（Vth）**      | 2.5V                       |
| **導通電阻（RDS(ON)）** | 6mΩ @ VGS=4.5V；4.5mΩ @ VGS=10V |
| **最大連續漏極電流（ID）** | 40A                        |
| **技術**       | 溝槽（Trench）              |

### BSZ097N04LS G-VB 適用領域和模塊

**電源管理模塊：** BSZ097N04LS G-VB 在電源管理模塊中具有廣泛的應用，例如DC-DC轉換器和開關電源中。其低導通電阻和高電流處理能力使其在這些應用中能夠實現高效能量轉換和散熱管理，從而提高整體系統的效率和可靠性。

**電機驅動模塊：** 在電機驅動應用中，這款MOSFET能夠提供高電流驅動能力和快速開關性能。它適用于電動工具、工業電機控制和家電中的電機驅動模塊，能夠提高系統的響應速度和控制精度。

**汽車電子模塊：** BSZ097N04LS G-VB 適用于汽車電子中的各種模塊，如電源控制單元、車身控制模塊和發動機控制單元。其高可靠性和低導通電阻能夠在汽車電子系統中提供高效能量傳遞和穩定性能，滿足嚴苛的汽車應用要求。

**照明控制模塊：** 在LED照明控制應用中，這款MOSFET能夠高效地調節電流，提供穩定的照明效果。其高效能和低熱阻使其在高功率LED驅動器中具有廣泛的應用，提高照明系統的能效和壽命。

綜上所述，BSZ097N04LS G-VB 是一款多功能、高性能的MOSFET，適用于多個領域和模塊，其卓越的電氣特性和可靠性使其在各種應用中都能夠表現出色。