### 產品簡介
**BSZ058N03MS G-VB** 是一款高效單 N-Channel MOSFET，封裝形式為 DFN8(3x3)。采用 Trench 技術，該 MOSFET 設計用于高電流、高效率的開關應用，能夠在較低的導通電阻下處理較高的電流負載。其優(yōu)異的性能和緊湊的封裝使其適合于各種高效能的電子設備和系統(tǒng)中。
### 詳細參數說明
- **封裝**: DFN8(3x3)
- **配置**: 單 N-Channel
- **漏源電壓 (V_DS)**: 30V
- **柵源電壓 (V_GS)**: ±20V
- **閾值電壓 (V_th)**: 1.7V
- **導通電阻 (R_DS(on))**:
- 5mΩ @ V_GS = 4.5V
- 3.9mΩ @ V_GS = 10V
- **最大漏電流 (I_D)**: 60A
- **技術**: Trench
### 應用領域和模塊
1. **高效開關電源**: BSZ058N03MS G-VB 適用于高效開關電源中，作為開關元件使用，其低導通電阻和高電流處理能力能夠提升電源效率和穩(wěn)定性。
2. **電源管理系統(tǒng)**: 在電源管理系統(tǒng)中，該 MOSFET 可以用于高電流開關和調節(jié)，適合用于電源調節(jié)和功率分配模塊，確保系統(tǒng)高效運行。
3. **電機驅動**: 適用于電機控制電路中，能夠處理較高的電流負載，提供高效的電機驅動和控制性能。
4. **汽車電子**: 由于其高電流和低導通電阻特性，此 MOSFET 也適用于汽車電子系統(tǒng)中，如電源管理和高功率開關應用，確保系統(tǒng)的可靠性和穩(wěn)定性。
