### 產品簡介

**BSZ050N03MS G-VB** 是一款單極性N溝道功率MOSFET，封裝為DFN8(3X3)。該MOSFET具有30V的漏源電壓（VDS），支持最大±20V的柵極源電壓（VGS）。其閾值電壓（Vth）為1.7V，導通電阻為19mΩ（VGS=4.5V）和13mΩ（VGS=10V），最大漏電流為30A。MOSFET采用溝槽技術，設計用于高電流和中等電壓的開關應用。

### 詳細參數說明

- **型號**: BSZ050N03MS G-VB
- **封裝**: DFN8(3X3)
- **配置**: 單極性N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 30V
- **柵極源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
 - 19mΩ @ VGS = 4.5V
 - 13mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏電流 (ID)**: 30A
- **技術**: 溝槽技術

### 適用領域和模塊

**BSZ050N03MS G-VB** 功率MOSFET 主要適用于以下領域和模塊：

1. **電源管理**：在電源轉換器和DC-DC轉換器中作為開關元件，能夠處理高電流負載，適合高效電源管理和轉換。

2. **負載開關**：用于高電流負載開關應用，如電源模塊和工業設備，提供高效電流控制，確保系統穩定運行。

3. **電動機驅動**：在電動機驅動系統中使用，適合高電流電動機控制，如電動工具和電動車輛，提供穩定的電流輸出。

4. **功率調節**：在功率調節模塊中，用于電流調節和控制，適合高電流電源模塊和調節器，提高系統性能和效率。