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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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BSZ035N03MS G-VB一款Single-N溝道DFN8(3X3)的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號: BSZ035N03MS G-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 DFN8(3X3)
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介

**BSZ035N03MS G-VB** 是一款高性能單通道 N 型 MOSFET,封裝形式為 DFN8(3x3)。該器件設(shè)計用于低電壓和高電流應(yīng)用,最大漏極電流為 60A,漏極-源極耐壓為 30V。具有非常低的 RDS(ON)(3.9mΩ @ VGS=10V),能夠提供優(yōu)異的開關(guān)性能和高效能。其閾值電壓為 1.7V,柵極-源極耐壓為 ±20V,采用溝道工藝(Trench),適合各種高效能開關(guān)應(yīng)用。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

- **型號**: BSZ035N03MS G-VB
- **封裝**: DFN8(3x3)
- **配置**: 單通道 N 型 MOSFET
- **漏極-源極耐壓 (VDS)**: 30V
- **柵極-源極耐壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **RDS(ON)**: 5mΩ @ VGS = 4.5V
- **RDS(ON)**: 3.9mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 60A
- **技術(shù)**: 溝道工藝 (Trench)

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊

**BSZ035N03MS G-VB** 在以下領(lǐng)域和模塊中具有優(yōu)異的應(yīng)用潛力:

1. **電源管理**:在高功率 DC-DC 轉(zhuǎn)換器和電源模塊中提供高效的開關(guān)控制,適用于計算機電源、電池管理系統(tǒng)等。
2. **電機驅(qū)動**:應(yīng)用于高電流電機驅(qū)動系統(tǒng),如電動汽車和電動工具,能夠處理大電流并保持低功耗。
3. **LED 驅(qū)動**:在高功率 LED 驅(qū)動電路中使用,支持高效的開關(guān)控制和低功耗運行,適合高亮度照明應(yīng)用。
4. **汽車電子**:用于汽車電源管理和負(fù)載開關(guān)系統(tǒng),如電動座椅、電動窗戶調(diào)節(jié)系統(tǒng)和電動門鎖。
5. **功率放大器**:適用于高功率射頻和音頻功率放大器電路,提供穩(wěn)定的開關(guān)性能和高效能。

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