### 產品簡介
**BSZ035N03LS G-VB** 是一款高性能單N溝道MOSFET，采用Trench技術制造，封裝形式為DFN8(3x3)。該MOSFET設計用于低電壓、高電流應用，具有30V的漏源電壓（VDS）和最大20V的柵源電壓（VGS）。它具有極低的導通電阻和較高的漏極電流能力，非常適合用于高效率的電源管理和開關應用。
### 參數說明
- **型號**: BSZ035N03LS G-VB
- **封裝**: DFN8(3x3)
- **配置**: 單N溝道
- **漏源電壓（VDS）**: 30V
- **柵源電壓（VGS）**: ±20V
- **閾值電壓（Vth）**: 1.7V
- **導通電阻（RDS(ON)）**:
- 5mΩ @ VGS = 4.5V
- 3.9mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流（ID）**: 60A
- **技術**: Trench
### 應用領域和模塊
**BSZ035N03LS G-VB** 主要適用于以下領域和模塊：
1. **電源管理**: 在高電流電源管理系統中使用，如電源轉換器和DC-DC轉換器，提供高效的功率轉換和低功率損耗。
2. **開關電路**: 在高電流開關電路中，如負載開關和電源開關，提供穩定的開關性能和低導通電阻，確保高效能。
3. **電動驅動**: 用于電動汽車或其他電動驅動系統中，處理高電流負載，優化系統性能和效率。
4. **工業自動化**: 適用于工業自動化設備中需要高電流和低功耗的場景，提升設備的可靠性和性能。
該MOSFET的低導通電阻和高電流處理能力使其在各種高效率電源管理和開關應用中表現優異。
