### 產品簡介

**BSS670S2L-VB** 是一款高壓單通道 N 型 MOSFET，封裝形式為 SOT23-3。該器件設計用于中等電壓和低電流應用，最大漏極電流為 0.3A，漏極-源極耐壓為 60V。具有較高的 RDS(ON)（2800mΩ @ VGS=10V），適合中等功率和低電流的開關應用。其閾值電壓為 1.7V，柵極-源極耐壓為 ±20V，采用溝道工藝（Trench），提供穩定的開關性能。

### 詳細參數說明

- **型號**: BSS670S2L-VB
- **封裝**: SOT23-3
- **配置**: 單通道 N 型 MOSFET
- **漏極-源極耐壓 (VDS)**: 60V
- **柵極-源極耐壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **RDS(ON)**: 3100mΩ @ VGS = 4.5V
- **RDS(ON)**: 2800mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 0.3A
- **技術**: 溝道工藝 (Trench)

### 應用領域和模塊

**BSS670S2L-VB** 在以下領域和模塊中具有廣泛應用：

1. **小型電源開關**：用于低功率電源開關和電源管理系統，適合各種小型電子設備和低功耗電路。
2. **高壓開關**：在中等電壓應用中提供開關控制，如小型電源適配器和中壓負載切換。
3. **信號切換**：適用于信號路徑切換和開關電路，適合音頻、視頻和數字信號處理。
4. **LED 驅動**：在低功率 LED 驅動電路中使用，提供高效的開關控制，適合低電流照明應用。
5. **小型電子設備**：用于便攜式電子產品和低功耗設備的開關和控制功能，支持穩定的操作和高效的電源管理。