### 產(chǎn)品簡介

BSS214NW-VB是一款高效單管N溝道MOSFET，封裝形式為SC70-3。該MOSFET支持20V的漏極-源極耐壓和±12V的柵極-源極耐壓，門檻電壓范圍為0.5~1.5V。采用Trench技術(shù)制造，具有較低的導通電阻，適合用于各種低電壓開關(guān)和電源管理應用。

### 參數(shù)說明

- **型號**: BSS214NW-VB
- **封裝**: SC70-3
- **配置**: 單管N溝道
- **漏極-源極耐壓 (VDS)**: 20V
- **柵極-源極耐壓 (VGS)**: ±12V
- **門檻電壓 (Vth)**: 0.5~1.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
 - 2.5V柵極驅(qū)動下: 48mΩ
 - 4.5V柵極驅(qū)動下: 40mΩ
 - 10V柵極驅(qū)動下: 36mΩ
- **漏極電流 (ID)**: 4A
- **技術(shù)**: Trench技術(shù)

### 應用領(lǐng)域

BSS214NW-VB適用于以下領(lǐng)域和模塊：

1. **低電壓開關(guān)**: 適用于低電壓開關(guān)應用，能夠有效地處理電流并提供高效的開關(guān)控制。
2. **電源管理**: 在電源管理系統(tǒng)中作為開關(guān)元件，支持高效電源轉(zhuǎn)換和管理，降低功率損耗。
3. **小功率電路**: 用于小功率電路中的開關(guān)，適合于需要低導通電阻的應用，如便攜式電子設(shè)備。
4. **信號開關(guān)**: 在信號開關(guān)應用中，提供穩(wěn)定的開關(guān)控制，并能夠處理低電壓和中等電流的信號。

該MOSFET的低導通電阻和適中的電流承載能力使其在低電壓和小功率應用中表現(xiàn)優(yōu)異。