### BSO4804-VB MOSFET 產品簡介
BSO4804-VB 是一款高性能雙N通道MOSFET，封裝在SOP8外殼中。該MOSFET 設計用于高效能和緊湊封裝的應用場合。其最大漏極-源極電壓（VDS）為30V，柵極-源極電壓（VGS）容差為±20V，適用于各種電源管理和開關應用。BSO4804-VB 的閾值電壓（Vth）為1.7V，確保在較低柵極電壓下能夠可靠啟動。其導通電阻（RDS(ON)）在VGS = 4.5V 時為20mΩ，在VGS = 10V 時為16mΩ，提供了良好的功率傳輸和低功耗。該MOSFET 的連續漏極電流（ID）為8.5A，適合處理中等電流負荷。BSO4804-VB 采用先進的溝槽技術，優化了其開關性能和整體能效。
### BSO4804-VB MOSFET 詳細參數說明
- **封裝類型:** SOP8
- **配置:** 雙N通道
- **最大漏極-源極電壓 (VDS):** 30V
- **最大柵極-源極電壓 (VGS):** ±20V
- **閾值電壓 (Vth):** 1.7V
- **導通電阻 (RDS(ON)):**
- VGS = 4.5V 時為 20mΩ
- VGS = 10V 時為 16mΩ
- **連續漏極電流 (ID):** 8.5A
- **技術:** 溝槽技術
### BSO4804-VB MOSFET 的應用領域
BSO4804-VB MOSFET 的雙N通道配置和低導通電阻使其在多個領域中具有優異的應用表現。例如，在電源管理系統中，這款MOSFET 可以用作高效的電源開關和電源調節模塊，處理中等電流負荷并優化能效。在消費電子產品中，如智能手機和筆記本電腦，BSO4804-VB 可用于電池管理和電源分配模塊，提供高效和穩定的電流供應。在通信設備中，它可以用于信號開關和放大器，因其低導通電阻和高效開關性能能夠顯著提升設備的性能。此外，該MOSFET 也適合用于高效能LED驅動器和其他中功率電子設備，提升整體性能和功率效率。
