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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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BSO350N03-VB一款Dual-N+N溝道SOP8的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號(hào): BSO350N03-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 SOP8
  • 溝道 Dual-N+N

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

BSO350N03-VB是一款高性能雙N溝道MOSFET,采用SOP8封裝,設(shè)計(jì)用于中電壓和中電流的應(yīng)用。這款MOSFET采用Trench技術(shù),具有低導(dǎo)通電阻和雙N溝道配置,能夠在最高30V的漏源極電壓下穩(wěn)定工作,并提供每個(gè)溝道最大6.8A的漏極電流。其設(shè)計(jì)使其特別適用于電源管理和開關(guān)應(yīng)用,為系統(tǒng)提供高效、可靠的性能。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

- **型號(hào)**: BSO350N03-VB
- **封裝類型**: SOP8
- **配置**: 雙N溝道
- **漏源極電壓 (VDS)**: 30V
- **柵源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 26mΩ @ VGS=4.5V;22mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**: 6.8A(每個(gè)溝道)
- **技術(shù)**: Trench

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例

1. **負(fù)載開關(guān)**:BSO350N03-VB MOSFET在負(fù)載開關(guān)應(yīng)用中表現(xiàn)出色。其雙N溝道配置允許它在中電壓下高效地控制多個(gè)負(fù)載,同時(shí)保持低導(dǎo)通電阻,減少功率損耗,提高系統(tǒng)效率。

2. **電源管理模塊**:在電源管理系統(tǒng)中,這款MOSFET能夠處理中等電流負(fù)載并提供穩(wěn)定的開關(guān)性能。其低導(dǎo)通電阻和雙N溝道設(shè)計(jì)使其在電源分配和電流保護(hù)應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異,有助于確保系統(tǒng)的穩(wěn)定性和高效能。

3. **電動(dòng)工具**:BSO350N03-VB MOSFET適用于便攜式電動(dòng)工具的電源開關(guān)和控制模塊。其較高的電流處理能力和低導(dǎo)通電阻確保工具在中負(fù)荷條件下的穩(wěn)定運(yùn)行和高效能。

4. **DC-DC轉(zhuǎn)換器**:在DC-DC轉(zhuǎn)換器中,這款MOSFET能夠在較低電壓和中等電流下提供穩(wěn)定的開關(guān)性能。其雙N溝道設(shè)計(jì)和低導(dǎo)通電阻幫助減少功率損耗,提高轉(zhuǎn)換器的效率,從而提升整體系統(tǒng)性能。

5. **通信設(shè)備**:BSO350N03-VB MOSFET適用于通信設(shè)備中的開關(guān)和功率管理模塊,能夠在中電壓條件下高效工作,提供可靠的電源控制和保護(hù)功能,確保通信設(shè)備的穩(wěn)定運(yùn)行。

BSO350N03-VB憑借其雙N溝道配置、高效的導(dǎo)通性能和低導(dǎo)通電阻,在這些應(yīng)用中展現(xiàn)出色的性能,是多種電源管理和開關(guān)應(yīng)用中的理想選擇。

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