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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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BSO315C-VB一款Dual-N+P溝道SOP8的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應用說明

型號: BSO315C-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 SOP8
  • 溝道 Dual-N+P

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、產(chǎn)品簡介

BSO315C-VB 是一款高性能雙N+P溝道MOSFET,采用SOP8封裝,設計用于中低電壓應用。該MOSFET 使用Trench技術,具有低導通電阻和較高的電流處理能力,適用于各種高效能電子系統(tǒng),包括電源管理、負載開關以及其他需要高效開關的應用。

### 二、詳細的參數(shù)說明

| 參數(shù)            | 數(shù)值                 |
|-----------------|----------------------|
| **封裝類型**     | SOP8                 |
| **配置**         | 雙N+P溝道             |
| **漏極-源極電壓 (VDS)** | ±30V                 |
| **柵極-源極電壓 (VGS)** | ±20V                 |
| **閾值電壓 (Vth)**       | 1.6V (N溝道) / -1.7V (P溝道) |
| **導通電阻 (RDS(ON))**    | 24mΩ / 50mΩ @ VGS=4.5V  |
|                         | 18mΩ / 40mΩ @ VGS=10V |
| **連續(xù)漏極電流 (ID)**     | ±8A                  |
| **技術**         | Trench               |

### 三、應用領域和模塊舉例

1. **電源管理**
  BSO315C-VB 在電源管理系統(tǒng)中表現(xiàn)優(yōu)異,雙N+P溝道配置和低導通電阻使其非常適合用于電源開關和電流調(diào)節(jié)應用。其高效能和可靠性確保了電源管理系統(tǒng)的穩(wěn)定性和效率。

2. **負載開關**
  在負載開關應用中,BSO315C-VB 的雙N+P溝道設計提供了高效的開關能力,能夠在較低電壓下處理負載。適用于各種便攜式電子設備和電池供電設備中的負載開關功能。

3. **電動汽車**
  對于電動汽車的電池管理和驅(qū)動系統(tǒng),BSO315C-VB 提供了雙N+P溝道配置和低導通電阻,有助于提高系統(tǒng)的效率和可靠性,在電池管理和負載控制中發(fā)揮重要作用。

4. **工業(yè)電機控制**
  在工業(yè)電機控制系統(tǒng)中,BSO315C-VB 的高電流承載能力和低導通電阻,使其能夠處理電機的高電流負荷,確保電機驅(qū)動系統(tǒng)的高效穩(wěn)定運行。

BSO315C-VB 以其雙N+P溝道設計、低導通電阻和高效能,適用于各種需要高效開關和可靠功率管理的中低電壓應用領域。

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