### 產(chǎn)品簡介

BSO200N03-VB是一款雙管N溝道MOSFET，封裝形式為SOP8。該MOSFET支持30V的漏極-源極耐壓和±20V的柵極-源極耐壓，具有1.7V的門檻電壓。采用Trench技術(shù)制造，具有低導(dǎo)通電阻，適合用于高效能的電源開關(guān)和電源管理應(yīng)用。

### 參數(shù)說明

- **型號**: BSO200N03-VB
- **封裝**: SOP8
- **配置**: 雙管N溝道
- **漏極-源極耐壓 (VDS)**: 30V
- **柵極-源極耐壓 (VGS)**: ±20V
- **門檻電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 4.5V柵極驅(qū)動下: 20mΩ
 - 10V柵極驅(qū)動下: 16mΩ
- **漏極電流 (ID)**: 8.5A
- **技術(shù)**: Trench技術(shù)

### 應(yīng)用領(lǐng)域

BSO200N03-VB適用于以下領(lǐng)域和模塊：

1. **電源管理**: 用于電源管理系統(tǒng)中的開關(guān)控制，提供高效能的電流切換，降低功率損耗。
2. **DC-DC轉(zhuǎn)換器**: 在DC-DC轉(zhuǎn)換器中作為低側(cè)開關(guān)，支持高電流和高效率的電源轉(zhuǎn)換。
3. **電動汽車**: 適用于電動汽車的電池管理系統(tǒng)和電機驅(qū)動系統(tǒng)，提供穩(wěn)定的開關(guān)控制。
4. **功率放大器**: 在功率放大器和高功率開關(guān)應(yīng)用中，作為開關(guān)元件，提供可靠的性能和高效率。

該MOSFET的低導(dǎo)通電阻和高電流承載能力使其在需要高效能和可靠性的開關(guān)應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異。