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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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BSL806N-VB一款Dual-N+N溝道SOT23-6的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應用說明

型號: BSL806N-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 SOT23-6
  • 溝道 Dual-N+N

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介

**型號**: BSL806N-VB  
**封裝**: SOT23-6  
**配置**: 雙N溝道MOSFET(N+N)  
**技術**: 溝槽型技術

### 詳細參數(shù)說明

- **VDS**: 20V (漏源極電壓)
- **VGS**: ±12V (柵源極電壓)
- **Vth**: 0.5~1.5V (柵源極閾值電壓)
- **RDS(ON)**: 
 - 28mΩ @ VGS = 2.5V
 - 22mΩ @ VGS = 4.5V
- **ID**: 6A (漏極電流)

### 應用領域和模塊

1. **電源管理**: 適用于DC-DC轉換器和小型電源開關,提供高效的電流控制和低導通電阻。
2. **消費電子**: 用于智能手機、平板電腦等設備中的功率開關和電源管理模塊,提升電源效率和穩(wěn)定性。
3. **便攜式設備**: 在便攜式電子產(chǎn)品中用于電源管理和開關控制,優(yōu)化能源使用并延長電池壽命。
4. **小型電機控制**: 適合小型電機和負載控制應用,確保高效的電流開關和負載管理。

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