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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專(zhuān)注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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BSC190N15NS3 G-VB一款Single-N溝道DFN8(5X6)的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說(shuō)明

型號(hào): BSC190N15NS3 G-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 DFN8(5X6)
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、產(chǎn)品簡(jiǎn)介

BSC190N15NS3 G-VB是一款高性能單N溝道MOSFET,采用DFN8(5X6)封裝。它采用Trench技術(shù),設(shè)計(jì)用于處理中高電壓和電流應(yīng)用。具有高電壓耐受能力和相對(duì)較低的導(dǎo)通電阻,使其適合于各種功率管理和開(kāi)關(guān)應(yīng)用。

### 二、詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

- **型號(hào)**:BSC190N15NS3 G-VB
- **封裝**:DFN8(5X6)
- **配置**:?jiǎn)蜰溝道
- **漏源極電壓(VDS)**:150V
- **柵源極電壓(VGS)**:±20V
- **閾值電壓(Vth)**:3V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:15.8mΩ(@VGS=10V)
- **漏極電流(ID)**:53.7A
- **技術(shù)**:Trench(溝槽技術(shù))

### 三、應(yīng)用領(lǐng)域和模塊

BSC190N15NS3 G-VB MOSFET因其高電壓耐受能力和低導(dǎo)通電阻,在多個(gè)領(lǐng)域和模塊中表現(xiàn)優(yōu)異。以下是一些具體應(yīng)用的示例:

1. **高電壓開(kāi)關(guān)電源**:
  在高電壓開(kāi)關(guān)電源應(yīng)用中,BSC190N15NS3 G-VB MOSFET能夠處理高達(dá)150V的漏源極電壓,適用于電源開(kāi)關(guān)電路和DC-DC轉(zhuǎn)換器。其低導(dǎo)通電阻有助于提高電源轉(zhuǎn)換效率,減少功率損耗和熱量生成。

2. **電動(dòng)汽車(chē)電池管理系統(tǒng)**:
  在電動(dòng)汽車(chē)的電池管理系統(tǒng)中,該MOSFET可用于電池保護(hù)和高電壓控制。其高電壓耐受能力和低RDS(ON)特性確保電池系統(tǒng)的高效和安全運(yùn)行,同時(shí)能夠有效管理電流流動(dòng)。

3. **工業(yè)電源和負(fù)載開(kāi)關(guān)**:
  在工業(yè)電源和負(fù)載開(kāi)關(guān)應(yīng)用中,BSC190N15NS3 G-VB適合用于需要高電壓和高電流的場(chǎng)景。它能夠穩(wěn)定控制負(fù)載開(kāi)關(guān),并處理高電壓負(fù)載,提升工業(yè)設(shè)備的整體性能和可靠性。

4. **高功率LED驅(qū)動(dòng)**:
  在高功率LED照明系統(tǒng)中,該MOSFET可以作為L(zhǎng)ED驅(qū)動(dòng)和控制組件。其高電壓能力使其能夠處理高功率LED的驅(qū)動(dòng)需求,同時(shí)低導(dǎo)通電阻有助于提高LED的亮度和壽命。

5. **消費(fèi)電子和通信設(shè)備**:
  BSC190N15NS3 G-VB MOSFET也適用于高電壓的消費(fèi)電子和通信設(shè)備中。例如,在高電壓的電源管理模塊中,能夠提供穩(wěn)定的開(kāi)關(guān)控制和電流管理,提升設(shè)備的效率和穩(wěn)定性。

這些應(yīng)用示例展示了BSC190N15NS3 G-VB MOSFET在高電壓、高電流和功率管理領(lǐng)域中的廣泛適用性和關(guān)鍵作用。

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