### BSC123N08NS3 G-VB MOSFET 產品簡介

BSC123N08NS3 G-VB 是一款高性能單N通道MOSFET，封裝在DFN8(5x6)外殼中。該MOSFET 專為需要高電流和高效率的應用而設計，提供卓越的性能和可靠性。其最大漏極-源極電壓（VDS）為80V，柵極-源極電壓（VGS）容差為±20V，適應各種電源管理和開關應用。BSC123N08NS3 G-VB 的閾值電壓（Vth）為3V，確保在較低柵極電壓下可靠啟動。其導通電阻（RDS(ON)）在VGS = 4.5V時為7mΩ，在VGS = 10V時為5mΩ，提供了高效的功率傳輸和低功耗。該MOSFET 的連續漏極電流（ID）可達到60A，適合處理較大的電流負荷。BSC123N08NS3 G-VB 采用先進的溝槽技術，優化了其開關性能和能效。

### BSC123N08NS3 G-VB MOSFET 詳細參數說明

- **封裝類型:** DFN8(5x6)
- **配置:** 單N通道
- **最大漏極-源極電壓 (VDS):** 80V
- **最大柵極-源極電壓 (VGS):** ±20V
- **閾值電壓 (Vth):** 3V
- **導通電阻 (RDS(ON)):**
 - VGS = 4.5V 時為 7mΩ
 - VGS = 10V 時為 5mΩ
- **連續漏極電流 (ID):** 60A
- **技術:** 溝槽技術

### BSC123N08NS3 G-VB MOSFET 的應用領域

BSC123N08NS3 G-VB MOSFET 的高電流處理能力和低導通電阻使其在多個領域中表現優異。例如，在電源管理系統中，這款MOSFET 可以用于高效能的電源開關和電源調節模塊，處理大電流負荷同時保持高效能。在電動汽車領域，它適合用于電機控制系統和電池管理模塊中，以確保穩定和高效的電流供應。在工業應用中，BSC123N08NS3 G-VB 可用于高功率電機驅動器和電源轉換設備，提供可靠的開關功能并降低能量損耗。此外，該MOSFET 也適用于高效能LED驅動器和其他高功率電子設備，提升整體性能和能效。