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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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BSC080P03LS G-VB一款Single-P溝道DFN8(5X6)的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明

型號: BSC080P03LS G-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • 封裝 DFN8(5X6)
  • 溝道 Single-P

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

### 一、產品簡介

BSC080P03LS G-VB是一款高性能單P溝道MOSFET,采用DFN8(5X6)封裝。它采用Trench技術,設計用于需要低導通電阻和高電流處理能力的負載開關應用。該MOSFET在-30V的漏源極電壓下運行,適合用于高效能電源管理和開關應用。

### 二、詳細參數說明

- **型號**:BSC080P03LS G-VB
- **封裝**:DFN8(5X6)
- **配置**:單P溝道
- **漏源極電壓(VDS)**:-30V
- **柵源極電壓(VGS)**:±20V
- **閾值電壓(Vth)**:-3V
- **導通電阻(RDS(ON))**:
 - 6mΩ(@VGS=4.5V)
 - 4mΩ(@VGS=10V)
- **漏極電流(ID)**:-120A
- **技術**:Trench(溝槽技術)

### 三、應用領域和模塊

BSC080P03LS G-VB MOSFET因其低導通電阻和高電流能力,適用于多種高效能和高電流應用。以下是一些具體應用的示例:

1. **電源開關**:
  在電源開關應用中,BSC080P03LS G-VB能夠提供低導通電阻和高電流處理能力,提高電源轉換效率。它適用于電源開關電路和DC-DC轉換器中的負載開關,幫助降低功率損耗和提高系統效率。

2. **電動汽車電池保護**:
  在電動汽車電池管理系統中,該MOSFET可用于電池保護和負載開關。其高電流能力和低RDS(ON)特性能夠有效地管理電池的電流流動,確保電池系統的安全和高效運行。

3. **高功率LED驅動**:
  在高功率LED照明系統中,BSC080P03LS G-VB可以用來控制和驅動LED燈具。其低導通電阻有助于提高LED的亮度和壽命,適合于高功率LED燈具的高效能驅動。

4. **工業設備**:
  該MOSFET適用于需要高電流控制的工業設備,如工業電機和加熱系統。在這些應用中,BSC080P03LS G-VB提供了可靠的開關控制和高效的電流管理,確保工業設備的穩定運行。

5. **便攜式設備電源管理**:
  在便攜式電子設備中,BSC080P03LS G-VB能夠用于電源管理模塊,控制電池的充放電過程。其高電流處理能力和低功耗特性有助于提高設備的整體性能和電池壽命。

這些應用示例展示了BSC080P03LS G-VB MOSFET在各種高電流和高效能應用中的重要性和廣泛適用性。

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