### 產品簡介

BSC057N03LS G-VB是一款高性能單管N溝道MOSFET，封裝形式為DFN8 (5x6)。該MOSFET設計用于處理高電流和低導通電阻的應用，具備30V的漏極-源極耐壓、20V的柵極-源極耐壓和1.7V的門檻電壓。采用Trench技術，具有極低的導通電阻，適用于高效電源管理和開關控制應用。

### 參數說明

- **型號**: BSC057N03LS G-VB
- **封裝**: DFN8 (5x6)
- **配置**: 單管N溝道
- **漏極-源極耐壓 (VDS)**: 30V
- **柵極-源極耐壓 (VGS)**: ±20V
- **門檻電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
 - 4.5V柵極驅動下: 5mΩ
 - 10V柵極驅動下: 3mΩ
- **漏極電流 (ID)**: 120A
- **技術**: Trench技術

### 應用領域

BSC057N03LS G-VB適用于以下領域和模塊：

1. **高效電源管理**: 由于其極低的導通電阻和高電流能力，非常適合用于電源管理系統，提供高效的電源轉換和分配。
2. **DC-DC轉換器**: 在DC-DC轉換器中作為低側開關，減少功率損耗，提高轉換效率。
3. **電動汽車**: 用于電動汽車的電池管理和電機驅動系統，提供高效的開關控制和電流處理能力。
4. **功率開關應用**: 適用于需要高電流承載和低導通電阻的高功率開關應用，如高功率放大器和開關電源。

該MOSFET的高電流能力和低導通電阻使其在高效能和高可靠性的應用環境中表現出色。