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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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BSC048N025S G-VB一款Single-N溝道DFN8(5X6)的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號: BSC048N025S G-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 DFN8(5X6)
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介

**BSC048N025S G-VB** 是一款高性能的單N溝道MOSFET,采用Trench技術(shù)制造。它封裝在DFN8 (5x6)中,設(shè)計(jì)用于需要高電流和高開關(guān)頻率的應(yīng)用。該MOSFET具有30V的漏源電壓(VDS)和最大20V的柵源電壓(VGS),在各種苛刻環(huán)境中提供低導(dǎo)通電阻和優(yōu)異的開關(guān)性能,適合用于高效能電源管理和開關(guān)應(yīng)用。

### 參數(shù)說明

- **型號**: BSC048N025S G-VB
- **封裝**: DFN8 (5x6)
- **配置**: 單N溝道
- **漏源電壓(VDS)**: 30V
- **柵源電壓(VGS)**: ±20V
- **閾值電壓(Vth)**: 1.7V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:
 - 2.5mΩ @ VGS = 4.5V
 - 1.8mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流(ID)**: 160A
- **技術(shù)**: Trench

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊

**BSC048N025S G-VB** 主要適用于以下領(lǐng)域和模塊:

1. **高效電源管理**: 在30V電源轉(zhuǎn)換器中使用,有助于減少功率損耗,提升系統(tǒng)的能效和可靠性,適合DC-DC轉(zhuǎn)換器和高效電源模塊。
2. **開關(guān)電路**: 用于高開關(guān)頻率的開關(guān)電路,如逆變器和電源開關(guān)模塊,提供低導(dǎo)通電阻和穩(wěn)定的開關(guān)性能。
3. **電動驅(qū)動**: 在電動汽車和高電流驅(qū)動系統(tǒng)中應(yīng)用,能夠處理高電流,確保系統(tǒng)的穩(wěn)定性和高效能。
4. **工業(yè)控制**: 用于工業(yè)自動化設(shè)備中,能夠處理高電流負(fù)載,提升系統(tǒng)的整體性能和可靠性。

該MOSFET的高電流和低導(dǎo)通電阻特性使其在多個(gè)高效能應(yīng)用場景中表現(xiàn)優(yōu)異。

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