### 產品簡介

BSC042NE7NS3 G-VB是一款高性能單管N溝道MOSFET，封裝形式為DFN8 (5x6)。該MOSFET提供80V的漏極-源極耐壓、20V的柵極-源極耐壓，并具有3V的門檻電壓。采用Trench技術制造，具有較低的導通電阻，適用于中高電流的開關和電源管理應用。

### 參數說明

- **型號**: BSC042NE7NS3 G-VB
- **封裝**: DFN8 (5x6)
- **配置**: 單管N溝道
- **漏極-源極耐壓 (VDS)**: 80V
- **柵極-源極耐壓 (VGS)**: ±20V
- **門檻電壓 (Vth)**: 3V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
 - 4.5V柵極驅動下: 7mΩ
 - 10V柵極驅動下: 5mΩ
- **漏極電流 (ID)**: 60A
- **技術**: Trench技術

### 應用領域

BSC042NE7NS3 G-VB適用于以下領域和模塊：

1. **電源管理**: 適用于高效電源管理系統，能夠處理高電壓和中高電流，降低功率損耗。
2. **DC-DC轉換器**: 在DC-DC轉換器中作為開關元件，以支持高電流和高效率轉換。
3. **電動汽車**: 適用于電動汽車的電池管理系統及電機驅動系統，提供高效的開關性能。
4. **功率放大器**: 用于需要高電壓和低導通電阻的功率放大器和高功率開關應用。

此MOSFET的高漏極-源極耐壓和低導通電阻特性使其在要求高效和高可靠性的高電壓應用中表現出色。