### 產品簡介
BSC042N03LS G-VB 是一款單通道 N 溝道 MOSFET，封裝類型為 DFN8 (5x6)。該 MOSFET 設計用于低電壓、高電流應用，具備 30V 的漏極-源極耐壓、20V 的柵極-源極耐壓、以及 1.7V 的柵極閾值電壓。其導通電阻為 2.5mΩ（4.5V 柵極驅動電壓下）和 1.8mΩ（10V 柵極驅動電壓下），并支持高達 160A 的漏極電流。采用 Trench 技術制造，確保了卓越的開關性能和高效能。

### 參數說明
- **型號**: BSC042N03LS G-VB
- **封裝**: DFN8 (5x6)
- **配置**: 單通道 N 溝道 MOSFET
- **漏極-源極耐壓 (VDS)**: 30V
- **柵極-源極耐壓 (VGS)**: ±20V
- **柵極閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
 - 2.5mΩ @ VGS = 4.5V
 - 1.8mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 160A
- **技術**: Trench 技術

### 應用領域
BSC042N03LS G-VB 適用于以下領域和模塊：
- **電源管理**: 在高效 DC-DC 轉換器中作為開關元件，提供低損耗的電流控制。
- **電動汽車**: 在電動汽車動力系統中用作高電流開關，優化電池和電機的能量轉換。
- **數據中心和服務器**: 用于高功率電源模塊中，支持穩定的電源分配和熱管理。
- **工業控制**: 在高負載電源系統中提供可靠的開關功能，確保設備長期穩定運行。