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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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BSC031N06NS3 G-VB一款Single-N溝道DFN8(5X6)的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號(hào): BSC031N06NS3 G-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 DFN8(5X6)
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

**BSC031N06NS3 G-VB** 是一款高性能的單N溝道MOSFET,采用Trench技術(shù)制造。其封裝形式為DFN8 (5x6),設(shè)計(jì)用于需要高電壓和大電流的應(yīng)用。該MOSFET具有60V的漏源電壓(VDS)和最大20V的柵源電壓(VGS),提供優(yōu)異的導(dǎo)通性能和低導(dǎo)通電阻,適用于電源管理、高功率開關(guān)及電動(dòng)驅(qū)動(dòng)等多種應(yīng)用。

### 參數(shù)說明

- **型號(hào)**: BSC031N06NS3 G-VB
- **封裝**: DFN8 (5x6)
- **配置**: 單N溝道
- **漏源電壓(VDS)**: 60V
- **柵源電壓(VGS)**: ±20V
- **閾值電壓(Vth)**: 3V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:
 - 5mΩ @ VGS = 4.5V
 - 3mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流(ID)**: 100A
- **技術(shù)**: Trench

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊

**BSC031N06NS3 G-VB** 適用于以下領(lǐng)域和模塊:

1. **高效能電源管理**: 在高電壓電源轉(zhuǎn)換器中使用,有助于減少功率損耗,提升系統(tǒng)的能效和穩(wěn)定性。
2. **開關(guān)電路**: 用于高功率開關(guān)應(yīng)用,如DC-DC轉(zhuǎn)換器和逆變器,提供低導(dǎo)通電阻和可靠的開關(guān)性能。
3. **電動(dòng)驅(qū)動(dòng)**: 適合用于電動(dòng)汽車和其他高電流驅(qū)動(dòng)系統(tǒng),確保在高電流環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行。
4. **工業(yè)控制**: 在工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中使用,能夠處理高電流和高電壓負(fù)載,提升系統(tǒng)的整體可靠性和性能。

該MOSFET的高電壓和大電流特性,使其在多種高負(fù)載應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異。

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