**1. 產品簡介：**

BSC025N03LS G-VB 是一款高效能 N-Channel MOSFET，封裝為 DFN8(5x6)。該器件采用 Trench 技術，具備超低導通電阻和高電流處理能力，非常適合高密度、高性能的電子設計需求。

**2. 詳細參數說明：**

- **封裝**: DFN8(5x6)
- **配置**: 單極性 N-Channel
- **漏極-源極電壓 (VDS)**: 30V
- **柵極-源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **柵極閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
 - 2.5mΩ（在 VGS=4.5V 時）
 - 1.8mΩ（在 VGS=10V 時）
- **漏極電流 (ID)**: 160A
- **技術**: Trench

**3. 應用領域舉例：**

BSC025N03LS G-VB 適用于高電流密度的電源管理應用，如 DC-DC 轉換器、功率調節模塊、電機驅動、LED 驅動電路和高效能電源系統。其低導通電阻和高電流處理能力使其在高效能電源轉換和管理中表現卓越，有助于提高系統的能效和可靠性。