--- 產品參數 ---
- 封裝 DFN8(5X6)
- 溝道 Single-N
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### 產品簡介
**BSC019N04NS G-VB** 是一款高性能單 N-Channel MOSFET,封裝形式為 DFN8(5x6)。這款 MOSFET 采用 Trench 技術,具有非常低的導通電阻和高漏電流承載能力,適用于高效率開關應用和大電流電源模塊。
### 詳細參數說明
- **封裝**: DFN8(5x6)
- **配置**: 單 N-Channel
- **漏源電壓 (V_DS)**: 40V
- **柵源電壓 (V_GS)**: ±20V
- **閾值電壓 (V_th)**: 3V
- **導通電阻 (R_DS(on))**: 2mΩ @ V_GS = 10V
- **最大漏電流 (I_D)**: 120A
- **技術**: Trench

### 應用領域和模塊
1. **高效開關電源**: 由于其超低導通電阻和高耐壓能力,BSC019N04NS G-VB 非常適合在高效開關電源中作為主要開關組件,能夠顯著減少功耗并提高整體效率。
2. **大功率電流驅動**: 適用于需要大電流承載的應用,如電機驅動和高功率 DC-DC 轉換器,能夠提供穩定的電流并提高系統可靠性。
3. **電源管理**: 用于電源管理電路中,可以在電源分配和電池管理系統中提供高效的開關功能,提升系統的性能和穩定性。
4. **計算機和通信設備**: 在計算機主板和通信設備中作為關鍵的功率開關元件,能有效管理高功率負載和減少熱損耗。
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