### BR50N06-VB MOSFET 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

BR50N06-VB 是一款高性能單N通道MOSFET，封裝在TO-220外殼中。該MOSFET 設(shè)計(jì)用于需要高電流處理和高效率的應(yīng)用場(chǎng)合。其最大漏極-源極電壓（VDS）為60V，柵極-源極電壓（VGS）容差為±20V，適合于各種電源管理和開(kāi)關(guān)應(yīng)用。BR50N06-VB 的閾值電壓（Vth）為1.7V，保證了在低柵極電壓下可靠啟動(dòng)。該MOSFET 的導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）在VGS = 4.5V時(shí)為13mΩ，在VGS = 10V時(shí)為11mΩ，提供了良好的功率效率和較低的功耗。其連續(xù)漏極電流（ID）高達(dá)60A，適合于處理較大電流的應(yīng)用。BR50N06-VB 采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)，優(yōu)化了其開(kāi)關(guān)性能和整體能效。

### BR50N06-VB MOSFET 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

- **封裝類(lèi)型:** TO-220
- **配置:** 單N通道
- **最大漏極-源極電壓 (VDS):** 60V
- **最大柵極-源極電壓 (VGS):** ±20V
- **閾值電壓 (Vth):** 1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)):**
 - VGS = 4.5V 時(shí)為 13mΩ
 - VGS = 10V 時(shí)為 11mΩ
- **連續(xù)漏極電流 (ID):** 60A
- **技術(shù):** 溝槽技術(shù)

### BR50N06-VB MOSFET 的應(yīng)用領(lǐng)域

BR50N06-VB MOSFET 的高電流處理能力和低導(dǎo)通電阻使其在多種領(lǐng)域中表現(xiàn)出色。例如，在電源管理系統(tǒng)中，這款MOSFET 可以用于開(kāi)關(guān)電源和電源調(diào)節(jié)模塊，以高效處理大電流負(fù)荷并減少功耗。在汽車(chē)電子領(lǐng)域，它適合用于電動(dòng)車(chē)輛的電機(jī)控制系統(tǒng)中，確保高效和穩(wěn)定的電流供應(yīng)。在工業(yè)應(yīng)用中，BR50N06-VB 可用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和高功率轉(zhuǎn)換設(shè)備，提供可靠的高電流開(kāi)關(guān)功能，降低能量損失。此外，該MOSFET 還可用于消費(fèi)電子產(chǎn)品，如高效能LED驅(qū)動(dòng)器和電源模塊，提升整體設(shè)備的性能和能效。