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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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B80NF55-06-VB一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說(shuō)明

型號(hào): B80NF55-06-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO263
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

B80NF55-06-VB是一款高性能的單N溝道MOSFET,采用TO263封裝,專為高電流和高開關(guān)速度應(yīng)用設(shè)計(jì)。這款MOSFET采用先進(jìn)的Trench技術(shù),具備低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力,適用于各種功率轉(zhuǎn)換和開關(guān)應(yīng)用。其最大漏源極電壓為60V,能夠承載高達(dá)150A的漏極電流,使其在需要高效能和可靠性的系統(tǒng)中表現(xiàn)出色。

### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

- **型號(hào)**: B80NF55-06-VB
- **封裝類型**: TO263
- **配置**: 單N溝道
- **漏源極電壓 (VDS)**: 60V
- **柵源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 4mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**: 150A
- **技術(shù)**: Trench

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例

1. **電源管理系統(tǒng)**:B80NF55-06-VB MOSFET在高效電源管理系統(tǒng)中可以提供出色的電流處理能力和低導(dǎo)通電阻。它適合用于開關(guān)電源和DC-DC轉(zhuǎn)換器,能夠減少功率損耗,提高系統(tǒng)效率。

2. **電動(dòng)汽車 (EV) 驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)**:在電動(dòng)汽車的驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中,該MOSFET能夠承受高電流并穩(wěn)定工作,適合用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)和電池管理應(yīng)用。其高電流能力和低導(dǎo)通電阻確保了系統(tǒng)的可靠性和高效能。

3. **太陽(yáng)能逆變器**:B80NF55-06-VB MOSFET非常適合用于太陽(yáng)能逆變器中,幫助高效地轉(zhuǎn)換直流電為交流電。其低導(dǎo)通電阻有助于提高逆變器的整體效率和穩(wěn)定性。

4. **工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)**:在工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中,B80NF55-06-VB能夠處理大電流負(fù)載,提供穩(wěn)定的開關(guān)性能。其優(yōu)異的導(dǎo)通性能和高電流承載能力使其在電機(jī)控制系統(tǒng)中表現(xiàn)出色。

5. **高功率LED驅(qū)動(dòng)器**:對(duì)于高功率LED驅(qū)動(dòng)器,B80NF55-06-VB MOSFET能夠有效控制大電流,提高LED的亮度和壽命。其低導(dǎo)通電阻減少了能量損耗,提升了整體驅(qū)動(dòng)效率。

B80NF55-06-VB憑借其強(qiáng)大的電流處理能力和低導(dǎo)通電阻,在各種高功率應(yīng)用中展現(xiàn)出了優(yōu)異的性能,是高效能和高可靠性系統(tǒng)中的理想選擇。

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