### B482L-VB MOSFET 產品簡介
B482L-VB 是一款高性能單N通道MOSFET，封裝在TO-263外殼中。該MOSFET設計用于要求高功率處理和高效開關的應用場合。其最大漏極-源極電壓（VDS）為80V，柵極-源極電壓（VGS）容差為±20V，提供了廣泛的適應性。器件具有較高的閾值電壓（Vth），為3V，但仍能確保在低電壓柵極信號下可靠驅動。B482L-VB的導通電阻（RDS(ON)）非常低，在VGS = 4.5V時為10mΩ，在VGS = 10V時為6mΩ，適用于需要大電流處理的應用，其連續漏極電流（ID）可達到120A。該MOSFET采用先進的溝槽技術，提高了其性能，特別是在低導通電阻和高效率方面。
### B482L-VB MOSFET 詳細參數說明
- **封裝類型:** TO-263
- **配置:** 單N通道
- **最大漏極-源極電壓 (VDS):** 80V
- **最大柵極-源極電壓 (VGS):** ±20V
- **閾值電壓 (Vth):** 3V
- **導通電阻 (RDS(ON)):**
- VGS = 4.5V 時為 10mΩ
- VGS = 10V 時為 6mΩ
- **連續漏極電流 (ID):** 120A
- **技術:** 溝槽技術
### B482L-VB MOSFET 的應用領域
B482L-VB MOSFET 的高性能特性使其適用于多種高要求的應用。例如，在電動汽車行業中，這款MOSFET可以用作動力傳動系統中的開關元件，處理高電流且保持高效能。在消費電子產品中，B482L-VB適合用于高功率電源模塊，如高端計算機電源供應器中，以降低功耗并提升電源轉換效率。此外，它還可以用于工業設備的電機控制和電源管理系統中，因其高電流處理能力和低導通電阻確保了系統的穩定運行。最后，該MOSFET也適用于可再生能源系統，比如太陽能逆變器，通過提高系統的效率和降低能量損失來優化能源利用。
