**產品簡介：**
B412L-VB 是一款高性能 N 通道 MOSFET，封裝為 TO263，設計用于高電壓和高電流應用。該 MOSFET 支持 100V 的漏源電壓（VDS）和 100A 的最大漏極電流（ID），在 VGS 為 4.5V 和 10V 時，其導通電阻（RDS(on)）分別為 23mΩ 和 10mΩ。采用 Trench 技術，這款 MOSFET 提供極低的導通阻抗和良好的開關性能，非常適合要求高功率密度和高效率的電路設計。
**詳細參數說明：**
- **型號**: B412L-VB
- **封裝**: TO263
- **配置**: 單管 N 通道
- **漏源電壓 (VDS)**: 100V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 2.5V
- **導通電阻 (RDS(on))**:
- 23mΩ（VGS=4.5V 時）
- 10mΩ（VGS=10V 時）
- **最大漏極電流 (ID)**: 100A
- **技術**: Trench
**應用領域和模塊示例：**
1. **高功率開關電源 (High-Power Switching Power Supplies)**: 由于其高電流承載能力和低導通電阻，B412L-VB 適用于高功率開關電源，能顯著提高系統效率，并減少熱量產生。
2. **電動汽車 (Electric Vehicles)**: 在電動汽車的電池管理和動力控制系統中，該 MOSFET 能處理高電壓和高電流負載，確保系統的高效和穩定性。
3. **工業電機驅動 (Industrial Motor Drives)**: 適合用于工業電機驅動系統中，提供穩定的開關性能和高電流處理能力，提升系統整體性能。
4. **電源管理系統 (Power Management Systems)**: B412L-VB 在電源管理系統中能夠有效控制高電流負載，提供高效的性能和穩定性，降低功耗和散熱需求。
