--- 產品參數 ---
- 封裝 TO263
- 溝道 Single-N
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### 產品簡介
B282L-VB 是一款高性能單通道 N 溝道 MOSFET,封裝形式為 TO263。此 MOSFET 設計用于承受高達 80V 的漏源電壓,能夠處理高達 215A 的漏極電流。采用 Trench 工藝,具有極低的導通電阻,適用于高功率和高電流的應用場景。
### 詳細參數說明
- **型號**: B282L-VB
- **封裝**: TO263
- **配置**: 單通道 N 溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 80V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **柵極閾值電壓 (Vth)**: 3V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- 10mΩ @ VGS = 4.5V
- 5mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 215A
- **技術**: Trench 工藝

### 適用領域和模塊
B282L-VB 適用于以下領域:
1. **電源管理**: 在高電流開關電源和高效能 DC-DC 轉換器中使用,提供低導通電阻和高電流處理能力。
2. **電動汽車**: 適合用于電動汽車中的電機驅動系統(tǒng)和電池管理,以處理高功率需求。
3. **電力電子**: 用于高功率電源設備,如逆變器和功率調節(jié)器,能夠高效管理高電流和高功率應用。
4. **工業(yè)應用**: 在工業(yè)自動化和高功率控制系統(tǒng)中作為主要的功率開關元件,確保穩(wěn)定和高效的功率管理。
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