### 產品簡介

**B200NF04-VB** 是一款采用 TO263 封裝的單級 N 溝道 MOSFET。該器件使用溝槽工藝，具有非常低的導通電阻和高電流承載能力，適合用于高功率和高效率的電子應用。

### 參數說明

- **封裝**：TO263
- **配置**：單級 N 溝道
- **漏源電壓 (VDS)**：40V
- **柵源電壓 (VGS)**：±20V
- **柵極閾值電壓 (Vth)**：2.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**：
 - 5mΩ @ VGS = 10V
 - 6mΩ @ VGS = 4.5V
- **最大漏電流 (ID)**：100A
- **技術**：溝槽工藝

### 適用領域和模塊示例

1. **電源管理**：B200NF04-VB 的低導通電阻和高電流能力使其非常適合用于電源管理系統中的開關，能夠顯著提高電源轉換效率和系統穩定性。

2. **DC-DC 轉換器**：在 DC-DC 轉換器中，該 MOSFET 的高電流處理能力和低導通電阻使其成為理想的開關組件，有助于提高轉換效率并減少功耗。

3. **電動汽車**：適用于電動汽車的電池管理和電機控制系統，處理高電流負載，提高系統的性能和可靠性。

4. **工業開關**：在工業應用中，B200NF04-VB 可用于高功率開關，適合用于需要高電流和低功耗的控制電路，提升系統的整體效率和耐用性。