### 產品簡介

**型號**: B150NF55-VB  
**封裝**: TO263  
**配置**: 單極性N溝道MOSFET  
**耐壓**: 60V  
**門源電壓**: ±20V  
**閾值電壓**: 3V  
**導通電阻**: 4mΩ @ V_GS = 10V  
**最大漏電流**: 150A  
**技術**: 溝槽型

### 詳細參數說明

- **型號**: B150NF55-VB  
- **封裝類型**: TO263  
- **配置**: 單N溝道MOSFET  
- **漏極-源極耐壓 (V_DS)**: 60V  
- **柵極-源極最大電壓 (V_GS)**: ±20V  
- **閾值電壓 (V_th)**: 3V  
- **導通電阻 (R_DS(ON))**: 4mΩ @ V_GS = 10V  
- **最大漏電流 (I_D)**: 150A  
- **技術類型**: 溝槽型技術

### 應用領域與模塊示例

1. **高功率開關電源**  
  B150NF55-VB 的高耐壓和低導通電阻特性使其適用于高功率開關電源，能夠有效處理高電流和降低能量損耗，提高電源轉換效率。

2. **電動汽車功率模塊**  
  由于其高電流能力和穩定的性能，該MOSFET 適用于電動汽車的功率模塊，能夠提供可靠的電流控制和熱管理，保障電動汽車的動力系統。

3. **大功率LED驅動**  
  在大功率LED驅動系統中，B150NF55-VB 可用于控制高電流負載，確保LED的高效能和長期穩定運行，同時減少功耗和熱量產生。

4. **電機驅動系統**  
  該MOSFET 的高電流能力和低導通電阻使其適合于電機驅動系統中，能夠提供強大的開關性能和電機控制精度，適用于高功率電機應用。