--- 產品參數 ---
- 封裝 TO252
- 溝道 Single-N
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### 產品簡介
AULR3110Z-VB 是一款高性能的單級N溝道 MOSFET,封裝形式為 TO252。這款 MOSFET 采用了 Trench 技術,能夠提供低導通電阻和高電流承載能力,適用于高電壓開關和功率轉換應用。
### 詳細參數說明
- **型號**: AULR3110Z-VB
- **封裝**: TO252
- **配置**: 單級N溝道
- **漏極-源極電壓 (VDS)**: 100V
- **柵極-源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **柵極閾值電壓 (Vth)**: 2.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- 4.5V 柵極電壓下: 10.5mΩ
- 10V 柵極電壓下: 8.5mΩ
- **最大漏極電流 (ID)**: 85A
- **技術**: Trench

### 應用領域和模塊
AULR3110Z-VB 適用于以下領域和模塊:
1. **電源管理模塊**:由于其低導通電阻和高電流能力,適合用于高效電源轉換和 DC-DC 轉換器。
2. **電動汽車**:在電動汽車的功率控制模塊中,作為開關 MOSFET 處理高電流負載,提升系統效率和可靠性。
3. **開關電源**:在開關電源系統中,用于高壓和大電流開關應用,降低能量損耗。
4. **電池管理系統**:在電池管理系統中作為開關元件,進行電池的過流保護和充電控制。
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