**產(chǎn)品簡(jiǎn)介：**
AUIRFR5410-VB 是一款高性能單P溝道MOSFET，采用TO-252封裝，專(zhuān)為高電壓和高電流應(yīng)用設(shè)計(jì)。它具有-100V的漏源電壓（VDS）和-8.8A的連續(xù)漏極電流（ID）。該MOSFET利用Trench技術(shù)，具有在VGS=4.5V下導(dǎo)通電阻為280mΩ，在VGS=10V下為250mΩ的特點(diǎn)，適用于高效開(kāi)關(guān)和功率控制應(yīng)用。
**詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明：**
- **封裝**: TO-252
- **配置**: 單P溝道
- **漏源電壓（VDS）**: -100V
- **柵源電壓（VGS）**: ±20V
- **閾值電壓（Vth）**: -2V
- **導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）**:
- 280mΩ @ VGS = 4.5V
- 250mΩ @ VGS = 10V
- **連續(xù)漏極電流（ID）**: -8.8A
- **技術(shù)**: Trench
**應(yīng)用領(lǐng)域與模塊舉例：**
1. **負(fù)載開(kāi)關(guān)**: AUIRFR5410-VB 在負(fù)載開(kāi)關(guān)應(yīng)用中提供高效的電源管理，適合用于各種電源開(kāi)關(guān)模塊。
2. **逆變器電路**: 該MOSFET的高耐壓和低導(dǎo)通電阻特性，使其在逆變器電路中表現(xiàn)優(yōu)異，支持高效的電力轉(zhuǎn)換。
3. **功率管理**: 在功率管理系統(tǒng)中，AUIRFR5410-VB 能夠有效控制電源流量，優(yōu)化系統(tǒng)性能。
4. **電池保護(hù)電路**: 由于其高電流處理能力和良好的導(dǎo)通特性，這款MOSFET適用于電池保護(hù)電路，防止過(guò)流和過(guò)壓情況。
