### 產品簡介
**AUIRFR4104TRR-VB** 是一款高性能的單N通道MOSFET，采用TO252封裝，具有優異的開關特性和低導通電阻。其最大漏極源極電壓（VDS）為40V，門源極電壓（VGS）范圍為±20V。該MOSFET具有2.5V的門檻電壓（Vth），在VGS=4.5V時導通電阻（RDS(ON)）為6mΩ，在VGS=10V時RDS(ON)為5mΩ。該器件支持85A的最大連續漏極電流（ID），采用Trench技術制造，適用于高效能和低功耗應用場景。
### 參數說明
- **型號**: AUIRFR4104TRR-VB
- **封裝**: TO252
- **配置**: 單N通道
- **最大漏極源極電壓（VDS）**: 40V
- **最大門源極電壓（VGS）**: ±20V
- **門檻電壓（Vth）**: 2.5V
- **導通電阻（RDS(ON)）**:
- 6mΩ @ VGS=4.5V
- 5mΩ @ VGS=10V
- **最大連續漏極電流（ID）**: 85A
- **技術**: Trench
### 適用領域和模塊示例
1. **電源管理**: 該MOSFET廣泛應用于電源開關模塊，特別是在高電流和低功耗的電源轉換電路中，由于其低導通電阻能夠顯著提高轉換效率并減少功耗。
2. **電動汽車**: 在電動汽車的電池管理系統中，AUIRFR4104TRR-VB的高電流承載能力和低導通電阻使其成為理想選擇，能夠有效控制電池充放電過程中的電流流動。
3. **LED驅動**: 適用于LED驅動電路中，能夠提供穩定的電流以保證LED的正常工作，并且減少由于開關損耗引起的熱量生成。
4. **DC-DC轉換器**: 在DC-DC轉換器中，MOSFET的低RDS(ON)特性能夠提高轉換效率，降低能量損失，適合用于高效率的開關電源設計中。
5. **功率放大器**: 在功率放大器模塊中，AUIRFR4104TRR-VB可用于高功率信號的開關控制，優化功率傳輸并提高系統的整體性能。
