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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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AUIRF2804S-7P-VB一款Dual-N+N溝道TO263-7L的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說(shuō)明

型號(hào): AUIRF2804S-7P-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO263-7L
  • 溝道 Dual-N+N

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、產(chǎn)品簡(jiǎn)介

**AUIRF2804S-7P-VB** 是一款高性能雙N溝道MOSFET,封裝為TO263-7L。它具有超低的導(dǎo)通電阻和極高的電流處理能力,特別設(shè)計(jì)用于高功率應(yīng)用。該MOSFET采用先進(jìn)的溝槽技術(shù),確保了卓越的熱穩(wěn)定性和開關(guān)性能,能夠在苛刻的工作環(huán)境中穩(wěn)定運(yùn)行。AUIRF2804S-7P-VB的雙N溝道配置使其在多種高電流應(yīng)用中表現(xiàn)出色,非常適合用于電源管理和電動(dòng)機(jī)控制等領(lǐng)域。

### 二、詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

- **型號(hào)**:AUIRF2804S-7P-VB
- **封裝**:TO263-7L
- **配置**:雙N+N-溝道
- **漏源電壓 (VDS)**:40V
- **柵源電壓 (VGS)**:20V(±)
- **閾值電壓 (Vth)**:3V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 0.9mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**:350A
- **技術(shù)**:溝槽技術(shù)

### 三、應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例

**1. 高功率電源管理**
AUIRF2804S-7P-VB在高功率電源管理系統(tǒng)中表現(xiàn)尤為出色,特別是在需要大電流處理的DC-DC轉(zhuǎn)換器和電源開關(guān)應(yīng)用中。其超低的導(dǎo)通電阻能夠顯著提高系統(tǒng)效率,減少功率損耗,并在高電流環(huán)境中穩(wěn)定運(yùn)行,適合于對(duì)電源性能有嚴(yán)格要求的設(shè)計(jì)。

**2. 電動(dòng)機(jī)控制**
在電動(dòng)機(jī)控制系統(tǒng)中,如工業(yè)電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)器和電動(dòng)車電動(dòng)機(jī)控制器,AUIRF2804S-7P-VB能夠高效地處理高電流負(fù)載。其雙N溝道配置和低導(dǎo)通電阻確保電動(dòng)機(jī)在高負(fù)載情況下平穩(wěn)運(yùn)行,提高系統(tǒng)的可靠性和性能,適合于高電流應(yīng)用場(chǎng)景。

**3. 高頻開關(guān)**
AUIRF2804S-7P-VB適用于高頻開關(guān)應(yīng)用,包括高功率開關(guān)電源和負(fù)載開關(guān)。其卓越的開關(guān)性能和極低的導(dǎo)通電阻使其能夠在高頻環(huán)境中穩(wěn)定運(yùn)行,提升系統(tǒng)的整體性能和效率。

**4. 逆變器**
在太陽(yáng)能逆變器和其他高功率逆變器中,AUIRF2804S-7P-VB的高電流處理能力和低導(dǎo)通電阻使其成為理想選擇。它能夠高效地將直流電轉(zhuǎn)換為交流電,提升逆變器的效率和性能,特別適用于需要高功率處理的應(yīng)用場(chǎng)合。

這些應(yīng)用示例展示了AUIRF2804S-7P-VB在高功率和高效率場(chǎng)合中的廣泛適用性,其卓越的性能使其能夠滿足各種復(fù)雜的工程需求。

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