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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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AP9974GS-VB一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號: AP9974GS-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO263
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介詳述:

AP9974GS-VB 是一款單通道 N 溝道場效應(yīng)管(MOSFET),采用溝道技術(shù),適用于高功率應(yīng)用。它具有高達(dá)60V的漏極-源極電壓(VDS),最大漏極電流(ID)為75A。這款 MOSFET 的特點(diǎn)之一是其低導(dǎo)通電阻,具體數(shù)值如下:
- 在 VGS = 4.5V 時(shí),導(dǎo)通電阻 RDS(ON) 為 12mΩ
- 在 VGS = 10V 時(shí),導(dǎo)通電阻 RDS(ON) 為 11mΩ

它的閾值電壓(Vth)為1.7V,工作時(shí)的門源電壓范圍為±20V。

### 詳細(xì)參數(shù)說明:

- **型號**: AP9974GS-VB
- **封裝**: TO263
- **通道類型**: 單 N 溝道
- **漏極-源極電壓(VDS)**: 60V
- **門源電壓(VGS)**: ±20V
- **閾值電壓(Vth)**: 1.7V
- **漏極-源極導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:
 - VGS = 4.5V 時(shí),RDS(ON) = 12mΩ
 - VGS = 10V 時(shí),RDS(ON) = 11mΩ
- **最大漏極電流(ID)**: 75A
- **技術(shù)**: 溝道技術(shù)(Trench)

### 應(yīng)用示例:

1. **電源管理**:
  在高效率的 DC-DC 變換器中,AP9974GS-VB 的低導(dǎo)通電阻和高漏極電流能夠提供高效的電能轉(zhuǎn)換,適用于要求高效率和高功率密度的應(yīng)用。

2. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)**:
  由于其高電流處理能力和低導(dǎo)通電阻,這款 MOSFET 可以用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng),如電動(dòng)車輛和工業(yè)機(jī)械中的電機(jī)控制。

3. **電源開關(guān)**:
  在高電壓電源開關(guān)中,AP9974GS-VB 的高漏極-源極電壓和低導(dǎo)通電阻使其成為一個(gè)可靠的選擇,能夠處理高功率和高頻率的開關(guān)需求。

4. **電池管理**:
  在鋰電池管理系統(tǒng)中,這款 MOSFET 可以用于電池保護(hù)電路和充放電控制,確保電池的安全和效率。

5. **LED 照明**:
  用于高功率 LED 驅(qū)動(dòng)器中,以其高電流處理能力和低損耗特性,支持 LED 燈具的高效能驅(qū)動(dòng)。

這些示例展示了 AP9974GS-VB 在多個(gè)領(lǐng)域和模塊中的廣泛應(yīng)用,從而體現(xiàn)了其在高功率應(yīng)用中的優(yōu)越性能和靈活性。

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