### 1. 產品簡介

AP9965GEH-VB 是一款單 N-溝道 MOSFET，采用了先進的 Trench 技術制造。其設計用于高電流和低導通電阻的需求，適合在各種工業和電子設備中應用。封裝為TO252，能夠有效散熱，適合于需要高性能和穩定性的應用場景。

### 2. 參數說明

- **型號**: AP9965GEH-VB
- **封裝**: TO252
- **結構**: 單 N-溝道
- **耐壓 (VDS)**: 40V
- **柵極-源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 2.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
 - 14mΩ @ VGS = 4.5V
 - 12mΩ @ VGS = 10V
- **連續漏極電流 (ID)**: 55A
- **技術**: Trench

### 3. 應用示例

AP9965GEH-VB 可以在多種領域和模塊中發揮作用，例如：

- **電源管理**: 適用于開關電源和電源調節器，因為其低導通電阻可以提供高效的電能轉換。
- **電動工具**: 可以用于驅動電動工具的電機控制，支持高功率輸出和穩定的性能。
- **汽車電子**: 在汽車電子系統中，特別是電動汽車的電動機控制和電池管理系統中，提供可靠的電力控制。
- **工業自動化**: 作為工業控制系統中的開關和電流調節器，幫助實現精確的電力管理和節能。
- **電源逆變器**: 用于逆變器中的開關模塊，支持直流到交流的高效能轉換。

以上示例展示了 AP9965GEH-VB 在不同應用場景中的廣泛適用性和高性能特點。