--- 產品參數 ---
- 封裝 TO251
- 溝道 Single-N
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### AP9469GJ-VB MOSFET 產品簡介
AP9469GJ-VB 是一款單 N 溝道功率 MOSFET,采用先進的 Trench 技術制造,具有高電流承載能力和低導通電阻。其封裝為 TO251,適合在各種功率電子應用中進行高效能量轉換和電路控制。
### AP9469GJ-VB 詳細參數說明
- **封裝類型**:TO251
- **配置**:單 N 溝道
- **漏源極電壓 (VDS)**:40V
- **柵源極電壓 (VGS)**:±20V
- **閾值電壓 (Vth)**:1.8V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- 14mΩ @ VGS=4.5V
- 13mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**:55A
- **技術**:Trench

### 應用領域和模塊
AP9469GJ-VB 適用于以下領域和模塊:
1. **電源管理**:由于其低導通電阻和高電流能力,適合用于電源開關、穩壓器和電池管理系統中,提高功率轉換效率,減少能量損耗。
2. **電動工具**:在電動工具的電機驅動和控制電路中,該器件能夠提供高效的功率開關和精確的電流控制,增強工具的性能和壽命。
3. **服務器和數據中心設備**:在服務器和數據中心設備的電源管理模塊中,AP9469GJ-VB 可以提供高效的電力轉換和穩定的電壓輸出,確保設備的穩定性和可靠性。
4. **電動汽車充電器**:在電動汽車充電設備中,該 MOSFET 可以用于高功率轉換和電能管理,提高充電效率和系統的安全性。
5. **工業自動化**:在工業自動化設備和機械控制系統中,AP9469GJ-VB 可以提供可靠的電力開關和電流調節功能,確保設備在高負載和惡劣環境下的穩定運行。
通過以上應用示例,可以看出 AP9469GJ-VB MOSFET 在多種領域和模塊中都具有廣泛的應用潛力,為現代電子產品提供了高效和可靠的功率管理解決方案。
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