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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專(zhuān)注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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AP4957M-VB一款Dual-P+P溝道SOP8的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說(shuō)明

型號(hào): AP4957M-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 SOP8
  • 溝道 Dual-P+P

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 1. 產(chǎn)品簡(jiǎn)介詳細(xì):

AP4957M-VB 是一款雙 P 溝道 + P 溝道 MOSFET,采用 SOP8 封裝,適用于需要負(fù)電壓開(kāi)關(guān)控制的應(yīng)用。該器件具有高度集成的設(shè)計(jì)和先進(jìn)的 Trench 技術(shù),適合要求高性能和高可靠性的電源管理系統(tǒng)。

### 2. 詳細(xì)的參數(shù)說(shuō)明:

- **封裝類(lèi)型**: SOP8
- **通道類(lèi)型**: 雙 P 溝道 + P 溝道
- **最大漏極-源極電壓 (VDS)**: -30V
- **柵極-源極電壓 (VGS)**: ±12V
- **閾值電壓 (Vth)**: -1.7V
- **導(dǎo)通時(shí)的靜態(tài)電阻 (RDS(ON))**:
 - @ VGS = 4.5V: 28mΩ
 - @ VGS = 10V: 21mΩ
- **漏極電流 (ID)**: 最大值 -8A
- **技術(shù)特點(diǎn)**: Trench 結(jié)構(gòu),提供優(yōu)異的開(kāi)關(guān)特性和熱穩(wěn)定性

### 3. 應(yīng)用示例:

- **電源反極保護(hù)**: AP4957M-VB 的負(fù)電壓 VDS 特性使其非常適合用于電源反極保護(hù)電路中,確保系統(tǒng)在電源極性反接時(shí)能夠有效保護(hù)電子設(shè)備不受損。

- **電池管理系統(tǒng)**: 在便攜式設(shè)備和電池管理系統(tǒng)中,這款 MOSFET 可以用于充電和放電控制回路,保證電池安全和系統(tǒng)效率。

- **汽車(chē)電子**: 在汽車(chē)電子中,特別是需要負(fù)電壓開(kāi)關(guān)的系統(tǒng)(如電動(dòng)車(chē)輛的電池管理和驅(qū)動(dòng)控制),AP4957M-VB 可以提供穩(wěn)定和高效的功率管理解決方案。

這些示例展示了 AP4957M-VB 在不同領(lǐng)域和模塊中的廣泛應(yīng)用,體現(xiàn)了其在負(fù)電壓開(kāi)關(guān)控制和電源管理中的重要性和實(shí)用性。

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