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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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AP4578GH-HF-VB一款Common Drain-N+P溝道TO252-4L的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明

型號: AP4578GH-HF-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • 封裝 TO252-4L
  • 溝道 Common Drain-N+P

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

### 產品簡介詳細:

AP4578GH-HF-VB 是一款高性能的 MOSFET,采用Trench技術,具有共源共排的N+P溝道配置。其主要技術參數如下:

- **包裝類型:** TO252-4L
- **配置:** 共源共排的N+P溝道
- **最大漏極-源極電壓(VDS):** ±60V
- **最大柵極-源極電壓(VGS):** ±20V
- **閾值電壓(Vth):** 1.8V(N溝道) / -1.7V(P溝道)
- **導通電阻(RDS(ON)):**
 - N溝道:33mΩ @ VGS = 4.5V, 30mΩ @ VGS = 10V
 - P溝道:60mΩ @ VGS = 4.5V, 50mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流(ID):** 35A(N溝道), -19A(P溝道,注意為負值)

### 詳細參數說明:

1. **包裝類型和配置:** TO252-4L 封裝,共源共排的N+P溝道配置,適合于功率開關和電源管理應用,結構緊湊,便于PCB布局設計。

2. **電氣特性:**
  - **廣泛的電壓范圍:** 支持高達±60V的VDS和±20V的VGS,適合于要求較高電壓容忍度的應用場合。
  - **雙溝道閾值電壓:** N溝道閾值電壓為1.8V,P溝道閾值電壓為-1.7V,提供了適應不同電壓極性的靈活性。
  - **低導通電阻:** N溝道在不同VGS下的導通電阻分別為33mΩ(4.5V)和30mΩ(10V),P溝道分別為60mΩ(4.5V)和50mΩ(10V),確保高效的功率轉換和低功耗運行。

3. **技術優勢:**
  - **Trench 技術:** 增強了導通能力和開關速度,適合于高頻率開關電源和高效能量轉換應用。

### 應用示例:

AP4578GH-HF-VB MOSFET適用于以下領域和模塊:

- **電源管理:** 在高壓DC-DC轉換器、穩壓器和電源適配器中,通過其高電壓容忍度和低導通電阻,實現高效率的功率轉換和穩定的電源輸出。

- **電動工具和工業設備:** 作為電機控制器的開關元件,能夠處理高電流和高功率負載,提供可靠的電動工具和工業設備操作。

- **電動汽車充電樁:** 用于電動汽車充電樁中的功率開關電路,支持高電壓和高電流的控制要求,確保安全和高效的充電過程。

- **UPS(不間斷電源)系統:** 在UPS系統中,用于電池逆變器和AC-DC轉換器中的功率開關,保證系統對電力故障的快速響應和穩定輸出。

這些示例展示了AP4578GH-HF-VB在不同應用中的多功能使用,展現了其在高功率、高效率和高可靠性電子設計中的重要性和應用廣泛性。

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