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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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AP4526GH-VB一款Common Drain-N+P溝道TO252-4L的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號: AP4526GH-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO252
  • 溝道 Common Drain-N+P

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介

AP4526GH-VB是一款雙N+P溝道金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(Dual N+P-Channel MOSFET),采用TO252-4L封裝。它具有共源極配置,適用于需要同時控制正負(fù)電壓的電路設(shè)計(jì)。該器件采用溝槽技術(shù),具有優(yōu)異的導(dǎo)通特性和低導(dǎo)通電阻,適合于高效能量轉(zhuǎn)換和電源管理應(yīng)用。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

- **型號**:AP4526GH-VB
- **封裝**:TO252-4L
- **配置**:共源極雙N+P溝道
- **漏源極電壓(VDS)**:±40V
- **柵源極電壓(VGS)**:20V(±V)
- **閾值電壓(Vth)**:1.8V(N溝道),-1.7V(P溝道)
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:
 - N溝道:
   - 14mΩ @ VGS=4.5V
   - 16mΩ @ VGS=10V
 - P溝道:
   - 14mΩ @ VGS=-4.5V
   - 16mΩ @ VGS=-10V
- **最大漏極電流(ID)**:±50A
- **技術(shù)**:溝槽技術(shù)(Trench)

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例

AP4526GH-VB適用于多種需要正負(fù)電壓控制和高電流驅(qū)動的應(yīng)用場合,以下是幾個具體的應(yīng)用示例:

1. **電源開關(guān)和逆變器**:
  AP4526GH-VB可用作電源開關(guān)和逆變器中的關(guān)鍵開關(guān)器件,特別適用于需要高效能量轉(zhuǎn)換和電流控制的應(yīng)用,如電動工具、家電逆變器等。

2. **電動汽車和混合動力車輛**:
  在電動汽車和混合動力車輛的電力傳動系統(tǒng)中,AP4526GH-VB用作電機(jī)驅(qū)動器和電池管理系統(tǒng)的關(guān)鍵組件。其高電壓容忍和低導(dǎo)通電阻確保了高效能量轉(zhuǎn)換和系統(tǒng)的高可靠性。

3. **工業(yè)自動化設(shè)備**:
  在工業(yè)自動化設(shè)備和機(jī)器人控制系統(tǒng)中,AP4526GH-VB用于高功率開關(guān)和精確的電動執(zhí)行器控制。其共源極配置使其能夠有效地管理復(fù)雜電路中的正負(fù)電壓需求。

4. **通信設(shè)備**:
  在通信基站和網(wǎng)絡(luò)設(shè)備中,AP4526GH-VB作為功率半導(dǎo)體開關(guān)器件,用于高頻率開關(guān)和電源管理。其穩(wěn)定的性能和高功率處理能力支持通信設(shè)備在各種工作條件下的穩(wěn)定運(yùn)行。

AP4526GH-VB憑借其雙N+P溝道結(jié)構(gòu)和優(yōu)異的電性能特征,適用于各種需要正負(fù)電壓控制和高功率驅(qū)動的電子設(shè)備和系統(tǒng)中,為電路設(shè)計(jì)帶來了更大的靈活性和可靠性。

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