### 1. 產品簡介

AP18N20GH-HF-VB 是一款單 N-溝道功率場效應管（Power MOSFET），采用Trench工藝制造。該器件適用于高性能功率開關和電源管理應用，具有200V的漏極-源極電壓（VDS）額定值和最大30A的漏極電流（ID）容量。

### 2. 參數說明

- **型號**: AP18N20GH-HF-VB
- **封裝**: TO252
- **通道類型**: 單 N-溝道
- **VDS (漏極-源極電壓)**: 200V
- **VGS (柵極-源極電壓)**: ±20V
- **Vth (閾值電壓)**: 3V
- **RDS(ON) (導通電阻)**:
 - 55mΩ @ VGS = 10V
- **ID (漏極電流)**: 30A
- **技術**: Trench

### 3. 應用示例

AP18N20GH-HF-VB 可適用于以下領域和模塊：

- **電源管理**: 由于其高導通電流和適中的漏極-源極電壓，適合用作高性能電源開關和電源管理系統中的關鍵部件。

- **太陽能逆變器**: 在太陽能逆變器中，作為功率轉換和電流控制的核心組件，確保高效的能源轉換和穩定的輸出電力。

- **電動車輛充電系統**: 在電動車輛充電系統中，用于電池管理和充電控制，確保高效率和安全的電池充電過程。

- **工業控制**: 用于工業設備和控制系統中的功率開關和逆變器，以提供可靠的功率控制和管理。

AP18N20GH-HF-VB 的高性能特性和可靠性使其在多個應用場景中成為首選，特別是需要處理高電流和高功率的場合。