--- 產品參數 ---
- 封裝 TO263
- 溝道 Single-N溝
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### AP18N20AGS-HF-VB MOSFET 產品簡介
AP18N20AGS-HF-VB是一款單N溝道金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET),采用TO263封裝。這款MOSFET采用了先進的Trench(溝槽)技術,具有高電流處理能力和低導通電阻,適用于高效能和高可靠性的電源管理和工業應用。
### AP18N20AGS-HF-VB MOSFET 詳細參數說明
- **封裝類型**: TO263
- **配置**: 單N溝道
- **漏極-源極電壓 (VDS)**: 200V
- **柵極-源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 48mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流 (ID)**: 40A
- **技術**: Trench(溝槽)

### AP18N20AGS-HF-VB MOSFET 應用領域和模塊示例
1. **高壓電源管理和DC-DC轉換器**:
- AP18N20AGS-HF-VB非常適合用于高壓電源管理系統和DC-DC轉換器。其高電壓承受能力和低導通電阻使其能夠在高效電源轉換應用中提供優異的性能。
2. **工業控制和電機驅動**:
- 在工業控制和電機驅動應用中,該MOSFET可以用于高功率的電機驅動器和控制系統。其高電流處理能力確保了在高負載條件下的可靠性能。
3. **太陽能逆變器和電動汽車充電系統**:
- AP18N20AGS-HF-VB在太陽能逆變器和電動汽車充電系統中可以發揮重要作用,提供高效的電力轉換和管理,確保系統的高效率和可靠性。
4. **消費電子和通信設備**:
- 該MOSFET也適用于消費電子和通信設備中的高效電源管理模塊,例如開關電源和適配器。其高效能和可靠性能能夠滿足這些設備對電源管理的嚴格要求。
### 總結
AP18N20AGS-HF-VB MOSFET憑借其卓越的電氣性能和廣泛的應用領域,特別是在高壓電源管理、工業控制、太陽能逆變器和消費電子設備中,展示出其在提升效率、可靠性和性能方面的顯著優勢。其高電壓、高電流和低導通電阻特性使其成為各種高效能電子系統的理想選擇。
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