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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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AP15T03GH-VB一款Single-N溝道TO252的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明

型號: AP15T03GH-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • 封裝 TO252
  • 溝道 Single-N

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

### 1. 產品簡介

AP15T03GH-VB 是一款單 N-溝道功率場效應管(Power MOSFET),采用Trench工藝制造。該器件適用于高性能功率開關和電源管理應用,具有30V的漏極-源極電壓(VDS)額定值和最大70A的漏極電流(ID)容量。

### 2. 參數說明

- **型號**: AP15T03GH-VB
- **封裝**: TO252
- **通道類型**: 單 N-溝道
- **VDS (漏極-源極電壓)**: 30V
- **VGS (柵極-源極電壓)**: ±20V
- **Vth (閾值電壓)**: 1.7V
- **RDS(ON) (導通電阻)**:
 - 9mΩ @ VGS = 4.5V
 - 7mΩ @ VGS = 10V
- **ID (漏極電流)**: 70A
- **技術**: Trench

### 3. 應用示例

AP15T03GH-VB 可適用于以下領域和模塊:

- **電源管理**: 由于其低導通電阻和高漏極電流容量,適合用作高性能的電源開關和電源管理系統中的關鍵組件。

- **電動工具**: 在電動工具和工業設備中,可用于電機驅動器和電源開關,以支持高功率和高效率的電動工具操作。

- **電動車輛**: 在電動車輛中,可用于電池管理系統和電動馬達驅動,確保高效能和可靠的電動車輛性能。

- **服務器和數據中心**: 在服務器和數據中心的電源管理和功率分配中,確保高效的能源利用和穩定的電力輸出。

AP15T03GH-VB 的高電流和低導通電阻特性使其在需要處理大功率和高效率能源轉換的應用中表現出色。

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