--- 產品參數 ---
- 封裝 TO251
- 溝道 Single-P
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### 1. 產品簡介
AP13P15GJ-HF-VB 是一款單 P-溝道功率場效應管(Power MOSFET),采用Trench工藝制造。該器件適用于負載開關和功率管理應用,具有高達-200V的漏極-源極電壓(VDS)額定值和最大-5A的漏極電流(ID)容量。
### 2. 參數說明
- **型號**: AP13P15GJ-HF-VB
- **封裝**: TO251
- **通道類型**: 單 P-溝道
- **VDS (漏極-源極電壓)**: -200V
- **VGS (柵極-源極電壓)**: ±20V
- **Vth (閾值電壓)**: -2.5V
- **RDS(ON) (導通電阻)**:
- 1200mΩ @ VGS = 4.5V
- 1000mΩ @ VGS = 10V
- **ID (漏極電流)**: -5A
- **技術**: Trench

### 3. 應用示例
AP13P15GJ-HF-VB 可適用于以下領域和模塊:
- **電源管理**: 由于其較高的漏極-源極電壓和漏極電流能力,適合用作電源開關,特別是在負載開關和電源管理系統中。
- **汽車電子**: 在汽車電子系統中,可以用于電池管理、電動車輛充電系統以及其他需要處理高電壓和電流的應用。
- **工業控制**: 用于工業控制設備中的電源開關和逆變器,以提供高效的功率管理和控制。
- **消費類電子**: 例如電源適配器、筆記本電腦和其他消費類電子設備中的開關電源電路。
這些示例展示了 AP13P15GJ-HF-VB 在多個領域中的靈活應用性,其高電壓和電流能力使其成為處理大功率需求的理想選擇。
為你推薦
-
BUK661R9-40C-VB一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:26
產品型號:BUK661R9-40C-VB 封裝:TO263 溝道:Single-N -
BUK661R8-30C-VB一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:23
產品型號:BUK661R8-30C-VB 封裝:TO263 溝道:Single-N -
BUK661R6-30C-VB一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:20
產品型號:BUK661R6-30C-VB 封裝:TO263 溝道:Single-N -
BUK6610-75C-VB一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:16
產品型號:BUK6610-75C-VB 封裝:TO263 溝道:Single-N -
BUK6607-55C-VB一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:14
產品型號:BUK6607-55C-VB 封裝:TO263 溝道:Single-N -
BUK654R8-40C-VB一款Single-N溝道TO220的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 16:56
產品型號:BUK654R8-40C-VB 封裝:TO220 溝道:Single-N -
BUK654R6-55C-VB一款Single-N溝道TO220的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 16:51
產品型號:BUK654R6-55C-VB 封裝:TO220 溝道:Single-N -
BUK654R0-75C-VB一款Single-N溝道TO220的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 16:50
產品型號:BUK654R0-75C-VB 封裝:TO220 溝道:Single-N -
BUK653R7-30C-VB一款Single-N溝道TO220的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 16:47
產品型號:BUK653R7-30C-VB 封裝:TO220 溝道:Single-N -
BUK653R5-55C-VB一款Single-N溝道TO220的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 16:35
產品型號:BUK653R5-55C-VB 封裝:TO220 溝道:Single-N