--- 產品參數 ---
- 封裝 TO251
- 溝道 Single-N
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### 一、產品簡介
**AP05N20GJ-HF-VB** 是一款單N溝道MOSFET,采用TO251封裝。它設計用于處理高達200V的漏極-源極電壓(VDS),并支持最大8A的漏極電流(ID)。采用Trench技術制造,提供在10V柵極-源極電壓下的導通電阻為270mΩ。這款MOSFET適合于中等電壓和較高電流的應用場合。
### 二、詳細參數說明
- **封裝類型**: TO251
- **配置**: 單N溝道
- **漏極-源極電壓 (VDS)**: 200V
- **柵極-源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 270mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 8A
- **技術**: Trench

### 三、適用領域和模塊
**AP05N20GJ-HF-VB** 在以下領域和模塊中具有廣泛的應用:
1. **電源轉換器**: 在DC-DC轉換器中用作開關元件,幫助實現高效率和低功耗的電力轉換,適用于移動設備和電子電源模塊。
2. **電動工具**: 用于電動工具中的開關控制,如電鉆、電動錘等,支持高效能和持久性能。
3. **LED驅動器**: 作為LED照明系統中的開關器件,管理和調節LED燈的電流和亮度,提供可靠的照明控制。
4. **電動車充電器**: 在電動車輛充電器中用作開關器件,支持快速充電和高效能的電池管理。
5. **工業自動化**: 用于工業控制系統中的功率開關,支持電機驅動、電氣設備控制和自動化過程的穩定操作。
通過這些示例,**AP05N20GJ-HF-VB** 展示了其在中等電壓和高電流條件下的穩定性和可靠性,適用于多種工業和電子設備的關鍵應用。
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